{"product_id":"is42s32200n-7tl-tr","title":"IS42S32200N-7TL-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S32200N-7TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 64 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa \u003cstrong\u003epuce IS42S32200N-7TL-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une DRAM synchrone haute performance de 64 Mbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire fiables et rapides. Ce circuit intégré SDRAM dispose d'une organisation mémoire 2M x 32, d'une fréquence d'horloge de 143 MHz et d'un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les applications gourmandes en données dans les télécommunications, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels et les plateformes informatiques embarquées.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConfiguration mémoire optimale :\u003c\/strong\u003e une capacité de 64 Mbits avec une organisation 2M x 32 offre une architecture mémoire flexible aux concepteurs de systèmes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface standard de l'industrie :\u003c\/strong\u003e l'interface LVTTL assure la compatibilité avec une large gamme de microcontrôleurs et de processeurs.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eFonctionnement fiable :\u003c\/strong\u003e tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V et plage de température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour une fiabilité de niveau industriel\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 86-TSOP II optimise l'espace sur la carte dans les conceptions compactes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement prêt pour la production :\u003c\/strong\u003e Emballage en bande et bobine pour l’assemblage automatisé et la fabrication en grande série\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré SDRAM est conçu pour des applications professionnelles telles que les routeurs et commutateurs réseau, les systèmes d'automatisation industrielle, les modules informatiques embarqués, les infrastructures de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les équipements de test et de mesure. La technologie DRAM volatile offre des cycles de lecture\/écriture rapides, essentiels au traitement des données en temps réel et aux opérations de mise en mémoire tampon.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eChez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, garantissant une longue durée de vie. Chaque puce IS42S32200N-7TL-TR provient directement de distributeurs agréés, assurant ainsi une authenticité à 100 % et la garantie constructeur complète. Notre équipe d'assistance technique dédiée accompagne les équipementiers et les intégrateurs système dans la sélection des composants, la vérification de leur compatibilité et la gestion de leur cycle de vie, afin de garantir la continuité de votre production.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2M x 32\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e LVTTL\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 143 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,4 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\t \u003ctd\u003e86-TFSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 86-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Ressources et catégories de produits connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Explorez notre vaste sélection de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Collection de circuits intégrés et de composants de mémoire\"\u003ecircuits intégrés et de composants de mémoire\u003c\/a\u003e pour des solutions DRAM, SRAM, Flash et EEPROM supplémentaires destinées à vos systèmes embarqués. 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