{"product_id":"is42s32800j-75etl-tr","title":"IS42S32800J-75ETL-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S32800J-75ETL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La puce IS42S32800J-75ETL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone de 256 Mbits fiable, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Avec une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns, ce circuit intégré mémoire offre des performances rapides et efficaces pour les systèmes nécessitant un traitement de données à haute vitesse.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Caractéristiques principales :\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité de mémoire de 256 Mbits\u003c\/strong\u003e - Organisation 8M x 32 pour une gestion flexible des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eFréquence de fonctionnement de 133 MHz\u003c\/strong\u003e - Fréquence d'horloge rapide pour des performances système réactives\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie\u003c\/strong\u003e - Plage de tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception pour montage en surface\u003c\/strong\u003e - Boîtier 86-TSOP II pour des circuits imprimés compacts\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles\u003c\/strong\u003e - Fonctionne de manière fiable de 0°C à 70°C\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la norme RoHS\u003c\/strong\u003e - Construction écologique et sans plomb\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications :\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Idéal pour l'électronique automobile, les équipements de télécommunications, les systèmes de contrôle industriels, les dispositifs de réseau et les plateformes informatiques embarquées nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques :\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8M x 32\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 133 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eÉcrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 6 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 86-TFSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 86-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116585255201,"sku":"IS42S32800J-75ETL-TR","price":16.3,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_86TSOPII-10.16_86_b07927b5-2134-4772-945e-a4377ebc9342.jpg?v=1743659125","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is42s32800j-75etl-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}