{"product_id":"is42s32800l-6bl-tr","title":"IS42S32800L-6BL-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S32800L-6BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa puce IS42S32800L-6BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une solution de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbits conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce circuit intégré DRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les équipements de télécommunications.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 5,4 ns pour un traitement rapide des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConfiguration mémoire optimale :\u003c\/strong\u003e capacité de 256 Mbits avec une organisation de 8 M x 32\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface standard de l'industrie :\u003c\/strong\u003e interface mémoire LVTTL pour une large compatibilité\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement fiable :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, plage de température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception compacte :\u003c\/strong\u003e boîtier CMS 90-TFBGA (8x13)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement prêt pour la production :\u003c\/strong\u003e disponible en bande et bobine pour l’assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003eValeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8M x 32\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e LVTTL\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 166 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,4 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 90-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 90-TFBGA (8x13)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré SDRAM est idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des infrastructures de télécommunications, des dispositifs médicaux et autres applications nécessitant des composants de mémoire haute fiabilité avec un support à long cycle de vie.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Qualité et traçabilité\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eEn tant que distributeur agréé, nous fournissons une documentation de traçabilité complète et une assurance qualité pour tous les composants semi-conducteurs ISSI, garantissant ainsi la conformité aux normes industrielles et aux exigences spécifiques de votre application.\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116575654177,"sku":"IS42S32800L-6BL-TR","price":16.11,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_90TFBGA-1.2-8X13_90_f7ce1d04-183e-4825-b5a7-0eb5788eff1e.jpg?v=1743658978","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is42s32800l-6bl-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}