{"product_id":"is42s83200l-7tl-tr","title":"IS42S83200L-7TL-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42S83200L-7TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire DRAM synchrone \u003cstrong\u003eIS42S83200L-7TL-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 256 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications embarquées exigeantes des secteurs industriel, automobile, des télécommunications et médical. Cette mémoire volatile garantit des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation optimale de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 32 M x 8 offre une gestion flexible des données pour diverses architectures système.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour les environnements industriels.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception compacte :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 54-TSOP II (0,400\", largeur 10,16 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eInterface standard de l'industrie :\u003c\/strong\u003e l'interface mémoire LVTTL assure une intégration transparente avec les systèmes existants.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement fiable :\u003c\/strong\u003e Emballage en bande et bobine pour les processus d’assemblage automatisés\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e LVTTL\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 143 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,4 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est idéal pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique automobile et infodivertissement\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eéquipement d'infrastructure de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plateformes informatiques embarquées\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'acquisition et de traitement des données\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs haute fiabilité, offrant des performances éprouvées pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et du médical. La mémoire IS42S83200L-7TL-TR illustre parfaitement l'engagement d'ISSI envers la qualité, la fiabilité et l'excellence technique.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre sélection complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To)\"\u003esolutions de semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les dispositifs DRAM, SRAM, Flash et EEPROM, pour votre prochain projet.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eVisitez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Semiconducteurs haute fiabilité pour applications aérospatiales, automobiles, industrielles et médicales\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e pour des composants semi-conducteurs haut de gamme et une assistance technique experte.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé des dernières tendances du secteur, des annonces de produits et des articles techniques sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités HQICKEY - Informations et ressources techniques sur l'industrie des semi-conducteurs\"\u003eblog Actualités et Ressources\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116198854945,"sku":"IS42S83200L-7TL-TR","price":10.83,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_54TSOPII-10.16_54_88b40317-89ee-46bd-9fe5-b84d40bd90e5.jpg?v=1743650834","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is42s83200l-7tl-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}