{"product_id":"is42vm32100d-75bli-tr","title":"IS42VM32100D-75BLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42VM32100D-75BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM mobile 32 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire \u003cstrong\u003eIS42VM32100D-75BLI-TR\u003c\/strong\u003e est une SDRAM mobile 32 Mbit hautes performances d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.), conçue pour les systèmes embarqués, l'électronique industrielle et les applications mobiles exigeant des solutions de mémoire fiables et basse consommation. Ce composant authentique dispose d'une architecture mémoire 1M x 32, d'une fréquence d'horloge de 133 MHz et d'un temps d'accès rapide de 6 ns, ce qui la rend idéale pour les applications gourmandes en bande passante.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications embarquées exigeantes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eArchitecture mémoire optimisée :\u003c\/strong\u003e l’organisation 1 Mo x 32 offre une interface parallèle efficace pour l’intégration système.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eMémoire SDRAM mobile basse consommation :\u003c\/strong\u003e une tension de fonctionnement de 1,7 V à 1,95 V réduit la consommation d’énergie des appareils mobiles et alimentés par batterie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e La plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact pour montage en surface : l’\u003c\/strong\u003e encombrement 90-TFBGA (8x13) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé dans les conceptions compactes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eDisponibilité tout au long du cycle de vie :\u003c\/strong\u003e garantie par l’engagement de HQICKEY à assurer un approvisionnement à long terme pour répondre aux exigences des équipementiers à grande échelle.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eComposants 100 % authentiques :\u003c\/strong\u003e provenant directement de circuits de distribution autorisés, avec une traçabilité complète et une garantie de qualité.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications typiques\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eCette mémoire SDRAM mobile est parfaitement adaptée aux contrôleurs embarqués, aux systèmes d'automatisation industrielle, à l'électronique automobile, à l'instrumentation portable, aux équipements de réseau et aux appareils IoT nécessitant une mémoire volatile fiable avec une disponibilité à long terme éprouvée.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Assistance technique et assurance qualité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e HQICKEY propose un support technique dédié pour accompagner les équipementiers et les intégrateurs de systèmes dans le choix des composants, la planification du cycle de vie et l'intégration. Chaque unité est garantie authentique et soumise à des contrôles qualité rigoureux.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - Mobile\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1M x 32\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 133 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 6 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,7 V ~ 1,95 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003e-40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 90-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 90-TFBGA (8x13)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - Composants DRAM, SRAM, Flash et EEPROM\"\u003ecircuits intégrés de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant des solutions DRAM, SRAM, Flash et EEPROM pour applications embarquées et industrielles. 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