{"product_id":"is42vm32200m-6bli-tr","title":"IS42VM32200M-6BLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS42VM32200M-6BLI-TR - Mémoire SDRAM mobile haute performance\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire \u003cstrong\u003eIS42VM32200M-6BLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM mobile 64 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel et des télécommunications. Cette mémoire DRAM volatile offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 166 MHz et son temps d'accès ultrarapide de 5,5 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un traitement rapide des données et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation optimale de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 2 M x 32 (capacité totale de 64 Mbits) offre une architecture mémoire flexible pour répondre à divers besoins système.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eFonctionnement à faible consommation :\u003c\/strong\u003e une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des applications mobiles et alimentées par batterie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e le boîtier 90-TFBGA (8x13) permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - Mobile\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2M x 32\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 166 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,5 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,7 V ~ 1,95 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 90-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 90-TFBGA (8x13)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e \u003ch3\u003eApplications et cas d'utilisation\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SDRAM mobile est conçue pour les applications critiques où la fiabilité, la vitesse et la stabilité thermique sont primordiales :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'infodivertissement automobile, ADAS et unités de contrôle du moteur\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire semi-conductrice haute fiabilité, offrant des performances éprouvées depuis plus de trente ans. La mémoire IS42VM32200M-6BLI-TR illustre parfaitement l'engagement d'ISSI envers la qualité : sa conception robuste, ses tests rigoureux et son assistance technique complète garantissent le fonctionnement optimal de vos systèmes critiques, même dans les environnements les plus exigeants.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eExplorez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003esolutions de mémoire à semi-conducteurs,\u003c\/a\u003e incluant les mémoires EEPROM, Flash, DRAM et SRAM, de 64 bits à 6 térabits. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Semiconducteurs haute fiabilité pour applications aérospatiales, automobiles et industrielles\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre offre complète de composants haute fiabilité destinés aux secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et de l'industrie. 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