{"product_id":"is43dr86400d-3dbl-tr","title":"IS43DR86400D-3DBL-TR","description":"\u003ch2\u003e IS43DR86400D-3DBL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Le circuit intégré \u003cstrong\u003eIS43DR86400D-3DBL-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR2 512 Mbits haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire volatile fiables et rapides. Ce composant authentique présente une architecture 64 Mbits x 8 fonctionnant à 333 MHz avec une interface SSTL_18, ce qui le rend idéal pour les applications gourmandes en données dans les télécommunications, les équipements de réseau, l'automatisation industrielle et les plateformes informatiques embarquées.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d’horloge de 333 MHz, un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 450 ps garantissent un traitement rapide des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eArchitecture mémoire optimisée :\u003c\/strong\u003e une capacité de 512 Mbits avec une organisation de 64 M x 8 offre une gestion de la mémoire flexible.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFiabilité de niveau industriel :\u003c\/strong\u003e plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 85 °C (TC) pour les environnements exigeants\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie :\u003c\/strong\u003e tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V pour un fonctionnement écoénergétique\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact :\u003c\/strong\u003e Boîtier CMS 60-TFBGA (8 x 10,5 mm) idéal pour les circuits imprimés haute densité.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTechnologie DDR2 SDRAM :\u003c\/strong\u003e mémoire volatile standard compatible avec l’interface SSTL_18\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement en bande et bobine :\u003c\/strong\u003e emballage prêt à l’emploi pour les processus d’assemblage automatisés\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré DDR2 SDRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux routeurs et commutateurs de réseau, aux contrôleurs industriels, aux infrastructures de télécommunications, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux applications informatiques hautes performances où la fiabilité des performances de la mémoire est essentielle.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eChez HQICKEY, nous garantissons des composants ISSI 100 % authentiques, une traçabilité complète et une disponibilité tout au long de leur cycle de vie. Notre équipe d'assistance technique dédiée accompagne les équipementiers et les intégrateurs de systèmes dans la sélection des composants, leur intégration et assure un approvisionnement mondial fiable pour répondre aux exigences de production à grande échelle.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR2\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SSTL_18\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 333 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 450 ch\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,7 V ~ 1,9 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 85°C (TC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 60-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 60-TWBGA (8x10,5)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - SRAM, DRAM, Flash et plus encore\"\u003ecircuits intégrés de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant des solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM pour applications embarquées et industrielles. 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