{"product_id":"is43dr86400e-25dbl-tr","title":"IS43DR86400E-25DBL-TR","description":"\u003ch2\u003e IS43DR86400E-25DBL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La puce mémoire \u003cstrong\u003eIS43DR86400E-25DBL-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR2 512 Mbit haut de gamme conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 400 MHz et son interface SSTL_18, ce qui le rend idéal pour les systèmes nécessitant un accès aux données rapide et stable.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité de 512 Mbits\u003c\/strong\u003e avec une organisation de 64 Mbits x 8 pour une architecture mémoire flexible\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLa fréquence d'horloge de 400 MHz\u003c\/strong\u003e garantit un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLa technologie DDR2 SDRAM\u003c\/strong\u003e offre une bande passante améliorée et une consommation d'énergie réduite.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles\u003c\/strong\u003e (0 °C à 85 °C) pour un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLe boîtier compact 60 TFBGA\u003c\/strong\u003e (8 x 10,5 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface SSTL_18\u003c\/strong\u003e avec une tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V pour une efficacité énergétique optimale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLa conception de montage en surface\u003c\/strong\u003e facilite les processus d'assemblage automatisés\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS et\u003c\/strong\u003e respecte les normes environnementales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR2\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SSTL_18\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 400 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 400 ch\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,7 V ~ 1,9 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 85°C (TC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 60-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eEmballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 60-TWBGA (8x10,5)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SDRAM DDR2 est parfaitement adaptée pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes informatiques embarqués et contrôleurs\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure de réseau et de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Instrumentation médicale et de diagnostic\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de test et de mesure\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Qualité et fiabilité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Fabriqué par ISSI, leader reconnu dans le domaine des solutions de semi-conducteurs pour mémoire, le composant IS43DR86400E-25DBL-TR est soumis à des contrôles qualité et des tests rigoureux afin de garantir sa fiabilité à long terme. Il est conditionné en bande et bobine, un conditionnement pratique adapté aux environnements de production à grand volume.\u003c\/p\u003e\n\u003chr\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eExplorez notre sélection complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM d'une capacité allant de 64 bits à 6 To pour les applications aérospatiales, automobiles et industrielles.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Visitez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e pour trouver des composants semi-conducteurs authentiques et de haute fiabilité, avec un support technique dédié et une distribution mondiale.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé des dernières tendances du secteur, des lancements de produits et des analyses techniques en consultant notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"ACTUALITÉS - Blog HQICKEY\"\u003eblog d'actualités\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116046844193,"sku":"IS43DR86400E-25DBL-TR","price":8.35,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_60TWBGA-.80-8X10.5_60_f78e9d77-e092-4436-ac4c-bcbe4cf9578e.jpg?v=1743646793","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is43dr86400e-25dbl-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}