{"product_id":"is43r16160f-5bl","title":"IS43R16160F-5BL","description":"\u003ch2\u003e IS43R16160F-5BL - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003epuce IS43R16160F-5BL\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR 256 Mbit haut de gamme conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et une organisation mémoire de 16 Mbits x 16, le tout dans un boîtier compact TFBGA 60 broches pour montage en surface.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données pour les applications temps réel exigeantes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eConfiguration mémoire optimale :\u003c\/strong\u003e une capacité de 256 Mbits avec une organisation de 16 M x 16 offre une architecture mémoire flexible pour les systèmes embarqués.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFiabilité de niveau industriel :\u003c\/strong\u003e La plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) garantit des performances stables dans des environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie :\u003c\/strong\u003e une tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V optimise l'efficacité énergétique des conceptions alimentées par batterie et sensibles à la consommation.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFormat compact :\u003c\/strong\u003e le boîtier 60-TFBGA (8x13) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte dans les applications où l'espace est limité.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCycles d'écriture rapides :\u003c\/strong\u003e un temps de cycle d'écriture de 15 ns permet des opérations de stockage de données efficaces.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la norme RoHS :\u003c\/strong\u003e Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plateau |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003e256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 200 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 700 ch\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,3 V ~ 2,7 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 60-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 60-TFBGA (8x13)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications et cas d'utilisation\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire SDRAM DDR IS43R16160F-5BL est parfaitement adaptée aux applications suivantes :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plateformes ECU et ADAS automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Automatisation industrielle et automates programmables\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements d'imagerie médicale et de diagnostic\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes informatiques embarqués à haute fiabilité\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Applications d'acquisition de données et de traitement du signal\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos besoins en circuits intégrés de mémoire ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDistributeur agréé de composants semi-conducteurs ISSI, HQICKEY garantit des pièces 100 % authentiques, une traçabilité complète et la prise en charge de la garantie constructeur. Notre réseau logistique mondial assure une livraison rapide pour un approvisionnement juste-à-temps, tandis que notre équipe technique fournit une assistance applicative complète et des ressources de conception pour accélérer le développement de vos produits.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To)\"\u003esolutions de mémoire à semi-conducteurs,\u003c\/a\u003e incluant SRAM, Flash, EEPROM et circuits intégrés de mémoire spécialisés pour les applications critiques. 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