{"product_id":"is43r16320f-6tl-tr","title":"IS43R16320F-6TL-TR","description":"\u003ch2\u003e IS43R16320F-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLe circuit \u003cstrong\u003eintégré IS43R16320F-6TL-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM DDR de 512 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 167 MHz et son organisation mémoire de 32 Mbits x 16, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 167 MHz, un temps de cycle d'écriture de 15 ns et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConfiguration mémoire optimale :\u003c\/strong\u003e une capacité de 512 Mbits avec une organisation de 32 M x 16 offre une architecture mémoire flexible.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface standard de l'industrie :\u003c\/strong\u003e interface mémoire SSTL_2 pour une intégration transparente avec les systèmes existants\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V et plage de température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eConception compacte :\u003c\/strong\u003e Boîtier de montage en surface 66-TSOP II (0,400\", largeur de 10,16 mm)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SSTL_2\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 167 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 700 ch\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,3 V ~ 2,7 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 66-TSSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 66-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est parfaitement adapté pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes embarqués aérospatiaux et de défense\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Unités de commande électroniques automobiles (ECU)\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eSystèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de diagnostic et de surveillance médicale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plateformes informatiques à haute fiabilité\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire haute performance et de semi-conducteurs analogiques. Forte de plusieurs décennies d'expertise dans la conception de composants de mémoire fiables, ISSI propose des produits répondant aux exigences rigoureuses des applications critiques dans de nombreux secteurs d'activité.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eExplorez notre vaste sélection de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To)\"\u003esemi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les solutions DRAM, SRAM, Flash et EEPROM, avec des capacités allant de 64 octets à 6 To. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haute fiabilité\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre gamme complète de composants semi-conducteurs haute fiabilité destinés aux secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Restez informé des dernières tendances, articles techniques et annonces de produits sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités et ressources techniques de HQICKEY\"\u003eblog\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eCommandez dès aujourd'hui la mémoire IS43R16320F-6TL-TR\u003c\/strong\u003e et découvrez la fiabilité et les performances offertes par les solutions de mémoire ISSI pour vos applications les plus exigeantes.\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116154028321,"sku":"IS43R16320F-6TL-TR","price":9.89,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_66TSOPII-10.16_66_a02bb20b-4cdf-40f6-a991-8b534682074b.jpg?v=1743649424","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is43r16320f-6tl-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}