{"product_id":"is43r83200f-6tli-tr","title":"IS43R83200F-6TLI-TR","description":"\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 166 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 700 ch\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,3 V ~ 2,7 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 66-TSSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 66-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch2\u003e Présentation du produit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLe circuit intégré \u003cstrong\u003eIS43R83200F-6TLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM DDR 256 Mbits haute performance conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et une durabilité exceptionnelles. Ce composant DRAM volatil dispose d'une architecture mémoire 32M x 8 avec interface parallèle, offrant des performances robustes dans les environnements industriels, automobiles, aérospatiaux, médicaux et de télécommunications les plus exigeants.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 166 MHz, un temps d'accès de 700 ps et un cycle d'écriture de 15 ns garantissent un traitement rapide des données pour les systèmes embarqués.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFiabilité de niveau industriel :\u003c\/strong\u003e une plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement stable dans des conditions environnementales difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAlimentation flexible :\u003c\/strong\u003e la plage de tension de 2,3 V à 2,7 V optimise l'efficacité énergétique tout en maintenant les performances.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eConception compacte :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 66-TSOP II (largeur de 0,400\") permet des agencements de circuits imprimés compacts.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement prêt pour la production :\u003c\/strong\u003e le format bande et bobine simplifie les processus d’assemblage automatisés\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Répond aux normes environnementales pour une conformité optimale au marché mondial\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003e Applications\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est parfaitement adapté pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plateformes ECU et ADAS automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Contrôleurs d'automatisation industrielle et automates programmables\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de diagnostic médical et systèmes d'imagerie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Applications informatiques embarquées à haute fiabilité\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003e Résumé des spécifications techniques\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire IS43R83200F-6TLI-TR combine une capacité de stockage de 256 Mbits avec la technologie DDR SDRAM, offrant une bande passante et une efficacité supérieures à celles de la SDRAM conventionnelle. Son interface mémoire parallèle assure la compatibilité avec une large gamme de microcontrôleurs, de FPGA et de processeurs, tandis que sa plage de températures de fonctionnement industrielles garantit des performances constantes même dans des conditions extrêmes.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Explorez notre sélection complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To)\"\u003esolutions de semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les composants DRAM, SRAM, Flash et EEPROM, pour répondre aux exigences de vos systèmes embarqués.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Visitez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Semiconducteurs haute fiabilité pour applications aérospatiales, automobiles et industrielles\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs haute fiabilité pour applications critiques.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eRestez informé des dernières technologies en matière de semi-conducteurs, des lancements de produits et des tendances du secteur en consultant notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"ACTUALITÉS - Blog HQICKEY sur les technologies des semi-conducteurs\"\u003eblog technique\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116165955873,"sku":"IS43R83200F-6TLI-TR","price":10.19,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_66TSOPII-10.16_66_e7f0291f-d153-498b-959b-1ec7287bd40c.jpg?v=1743649890","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is43r83200f-6tli-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}