{"product_id":"is43r86400f-6tl-tr","title":"IS43R86400F-6TL-TR","description":"\u003cp\u003eLe module de mémoire SDRAM DDR \u003cstrong\u003eIS43R86400F-6TL-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution haute performance de 512 Mbits conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et une intégrité des données exceptionnelles. Cette mémoire DRAM volatile offre des performances robustes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages :\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 167 MHz et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données pour les applications temps réel exigeantes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eArchitecture mémoire optimisée :\u003c\/strong\u003e l'organisation 64 Mo x 8 assure une gestion efficace des données et une utilisation optimale de la bande passante.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface standard de l'industrie :\u003c\/strong\u003e l'interface SSTL_2 (Stub Series Terminated Logic) assure la compatibilité avec les contrôleurs de mémoire DDR standard.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement fiable :\u003c\/strong\u003e plage de tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour les environnements industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eConception compacte :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 66-TSOP II (66-TSSOP, largeur 0,400\") optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCycles d'écriture rapides :\u003c\/strong\u003e un temps de cycle d'écriture de 15 ns permet des opérations de stockage de données efficaces.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement en bande et bobine :\u003c\/strong\u003e le conditionnement TR facilite les processus d'assemblage automatisés pour la fabrication en grande série.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques :\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SSTL_2\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 167 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 700 ch\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,3 V ~ 2,7 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 66-TSSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 66-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications :\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire DDR SDRAM est idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications et les applications aérospatiales où une mémoire volatile fiable et rapide est essentielle.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e ISSI est spécialisée dans les solutions de mémoire à semi-conducteurs haute fiabilité, conçues pour répondre aux normes de qualité les plus strictes des applications critiques. La mémoire IS43R86400F-6TL-TR associe une technologie DDR éprouvée à des spécifications industrielles pour offrir des performances fiables même dans des environnements d'exploitation exigeants.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources associés :\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Explorez notre collection complète \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To)\"\u003ede dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To)\u003c\/a\u003e pour découvrir d’autres options de mémoire.\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eVisitez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Semiconducteurs haute fiabilité\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e pour découvrir notre gamme complète de semi-conducteurs haute fiabilité.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Consultez nos dernières analyses dans la \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités et ressources techniques\"\u003erubrique Actualités et Ressources techniques\u003c\/a\u003e pour obtenir des mises à jour sur le secteur et des guides d'application.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eConformité :\u003c\/strong\u003e Conforme à la directive RoHS\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Pour toute assistance technique, fiches techniques ou demande de prix pour les commandes en gros, veuillez contacter nos spécialistes en semi-conducteurs.\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116198134049,"sku":"IS43R86400F-6TL-TR","price":10.83,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_66TSOPII-10.16_66_c3f8c26d-32eb-4c7e-beef-19a6d5612921.jpg?v=1743650829","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is43r86400f-6tl-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}