{"product_id":"is45s16160j-6tla1-tr","title":"IS45S16160J-6TLA1 -TR","description":"\u003ch2\u003e IS45S16160J-6TLA1-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire DRAM synchrone \u003cstrong\u003eIS45S16160J-6TLA1-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 256 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire SDRAM à montage en surface dispose d'une organisation mémoire 16M x 16, d'une fréquence d'horloge de 166 MHz et d'un temps d'accès de 5,4 ns, garantissant des performances rapides et fiables pour les systèmes embarqués nécessitant un support technique à long terme.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eCaractéristiques principales :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Mémoire SDRAM de 256 Mbits avec interface parallèle pour une intégration transparente\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Fréquence de fonctionnement de 166 MHz avec un temps d'accès de 5,4 ns pour une récupération rapide des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eConforme à la directive RoHS avec une traçabilité complète pour la conformité réglementaire\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Boîtier CMS 54-TSOP II pour des circuits imprimés compacts\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V pour un fonctionnement à faible consommation.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eApplications :\u003c\/strong\u003e Systèmes embarqués, contrôleurs industriels, électronique automobile, dispositifs médicaux, équipements de télécommunications et avionique aérospatiale nécessitant des solutions de mémoire stables et à long terme.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eSpécifications techniques complètes :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 166 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,4 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003e54-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116491800865,"sku":"IS45S16160J-6TLA1 -TR","price":14.39,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_54TSOPII-10.16_54_e7581557-6e59-453c-bc8a-e1ec1c2def9c.jpg?v=1743656602","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is45s16160j-6tla1-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}