{"product_id":"is45s16160j-7ctla2-tr","title":"IS45S16160J-7CTLA2-TR","description":"\u003ch2\u003e Circuit intégré de mémoire SDRAM ISSI IS45S16160J-7CTLA2-TR\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire DRAM synchrone IS45S16160J-7CTLA2-TR de 256 Mbits, fabriquée par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.), est conçue pour les applications exigeant un accès mémoire rapide et fiable dans des environnements difficiles. Cette SDRAM dispose d'une organisation mémoire 16M x 16, d'une fréquence d'horloge de 143 MHz et d'un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes industriels, automobiles, de télécommunications et embarqués.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eCaractéristiques principales :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Capacité de mémoire de 256 Mbit avec une organisation de 16 M x 16\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eFréquence d'horloge rapide de 143 MHz avec un temps d'accès de 5,4 ns\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 105 °C (TA)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V pour une faible consommation d'énergie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Boîtier de montage en surface 54-TSOP II pour des conceptions compactes\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Interface mémoire parallèle pour transfert de données à haut débit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eApplications :\u003c\/strong\u003e Systèmes de contrôle industriel, électronique automobile, équipements de télécommunications, dispositifs médicaux, informatique embarquée et autres applications nécessitant une prise en charge à long terme et des performances de mémoire fiables.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un support technique et des composants authentiques garantis, avec des engagements de disponibilité à long terme.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eTaille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 143 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5,4 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 105°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 54-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116593217825,"sku":"IS45S16160J-7CTLA2-TR","price":16.48,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_54TSOPII-10.16_54_1eb6093c-04f9-41d0-b86f-a8f26d43d17a.jpg?v=1743659336","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is45s16160j-7ctla2-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}