{"product_id":"is46dr16320e-25dbla2-tr","title":"IS46DR16320E-25DBLA2-TR","description":"\u003ch3\u003e ISSI IS46DR16320E-25DBLA2-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute fiabilité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire IS46DR16320E-25DBLA2-TR est une mémoire SDRAM DDR2 de 512 Mbits fabriquée par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.), conçue pour les applications haute fiabilité nécessitant un support à long terme. Ce circuit intégré mémoire présente une architecture 32 Mbits x 16 et une fréquence d'horloge de 400 MHz, le tout dans un boîtier compact TFBGA 84 broches pour montage en surface.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eCaractéristiques principales :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Mémoire SDRAM DDR2 de 512 Mbits avec une organisation de mémoire de 32M x 16\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Fréquence d'horloge de 400 MHz pour les applications hautes performances\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plage de températures industrielles étendue : -40 °C à 105 °C\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Boîtier 84-TFBGA (8 x 12,5 mm) pour les conceptions à espace restreint\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Fonctionnement à basse tension : 1,7 V à 1,9 V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Temps d'accès rapide : 400 ps\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eApplications :\u003c\/strong\u003e Idéal pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, de contrôle industriel, médicaux et de télécommunications nécessitant une disponibilité à long terme et une traçabilité complète des composants.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eDistribution agréée :\u003c\/strong\u003e Nous fournissons des composants ISSI authentiques avec une traçabilité complète, la documentation du fabricant et un engagement sur le long terme pour accompagner vos conceptions critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch4\u003e Spécifications techniques complètes :\u003c\/h4\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR2\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 400 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 400 ch\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,7 V ~ 1,9 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 105°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 84-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eEmballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 84-TWBGA (8x12,5)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116507070753,"sku":"IS46DR16320E-25DBLA2-TR","price":14.65,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_IS43DR16160A-37CBL_8b6160de-6738-47e4-a68d-fa1ac6fc2a4f.jpg?v=1743657058","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is46dr16320e-25dbla2-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}