{"product_id":"is46r16160f-6tla1-tr","title":"IS46R16160F-6TLA1-TR","description":"\u003ch2\u003e IS46R16160F-6TLA1-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Le circuit intégré \u003cstrong\u003eIS46R16160F-6TLA1-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM DDR 256 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, aérospatial et des télécommunications. Cette puce DRAM volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès rapide de 700 ps, ​​ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un traitement rapide des données et des opérations mémoire fiables.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eMémoire haute densité :\u003c\/strong\u003e une capacité de 256 Mbits avec une organisation de 16 Mbits x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications complexes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances rapides :\u003c\/strong\u003e une fréquence d’horloge de 166 MHz et un temps d’accès de 700 ps garantissent une récupération rapide des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie :\u003c\/strong\u003e une tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V optimise l'efficacité énergétique.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface standard de l'industrie :\u003c\/strong\u003e l'interface mémoire parallèle assure une large compatibilité\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception compacte pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e le boîtier 66-TSOP II permet un gain de place précieux sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 166 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eÉcrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 700 ch\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,3 V ~ 2,7 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 66-TSSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 66-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est conçu pour les applications critiques, notamment :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique automobile et infodivertissement\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements aérospatiaux et de défense\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs et instruments médicaux\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes embarqués à haute fiabilité\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Qualité et conformité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Le produit IS46R16160F-6TLA1-TR est conforme à la directive RoHS, garantissant ainsi le respect de l'environnement et la conformité réglementaire pour les marchés internationaux. Il est conditionné en bobines et bandes pour une utilisation optimale dans les processus d'assemblage automatisés.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Collection de composants de mémoire\"\u003ecomposants de mémoire\u003c\/a\u003e pour des solutions DRAM, SRAM, Flash et mémoires spécialisées. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants électroniques haut de gamme\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs haute fiabilité et de circuits intégrés de gestion de l'alimentation. 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