{"product_id":"is46tr16640c-125jbla2-tr","title":"IS46TR16640C-125JBLA2-TR","description":"\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR3\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Gbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 800 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 20 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,425 V ~ 1,575 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 105°C (TC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Automobile\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e AEC-Q100\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 96-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 96-TWBGA (9x13)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\n\n\u003ch2\u003e Présentation du produit\u003c\/h2\u003e\n\n \u003cp\u003eLa mémoire \u003cstrong\u003eIS46TR16640C-125JBLA2-TR\u003c\/strong\u003e est une solution mémoire SDRAM DDR3 1 Gbit haute performance d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc), spécialement conçue pour les applications automobiles exigeantes. Ce composant de mémoire volatile de qualité automobile offre une fiabilité et des performances exceptionnelles, même dans des conditions d'utilisation extrêmes.\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003ch2\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h2\u003e\n\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFiabilité de qualité automobile :\u003c\/strong\u003e conforme à la norme AEC-Q100 pour les systèmes automobiles critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e fréquence d’horloge de 800 MHz avec un temps d’accès de 20 ns et un cycle d’écriture de 15 ns\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de température étendue :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C (TC)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eArchitecture mémoire optimisée :\u003c\/strong\u003e capacité de 1 Gbit avec une organisation de 64 M x 16 pour une gestion efficace des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception compacte :\u003c\/strong\u003e Boîtier CMS 96-TFBGA (96-TWBGA 9x13)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConformité sectorielle :\u003c\/strong\u003e Conforme à la directive RoHS en matière de responsabilité environnementale\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\n\n\u003ch2\u003e Spécifications techniques\u003c\/h2\u003e\n\n \u003cp\u003eCette mémoire DDR3 SDRAM est dotée d'une interface parallèle et fonctionne avec une tension d'alimentation de 1,425 V à 1,575 V, ce qui la rend idéale pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels et autres applications exigeant une grande fiabilité. Son conditionnement en bande et bobine garantit des processus d'assemblage automatisés efficaces.\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003ch2\u003e Applications\u003c\/h2\u003e\n\n\u003cp\u003e Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mémoire volatile haute performance avec une fiabilité de qualité automobile.\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003ch2\u003e Produits associés\u003c\/h2\u003e\n\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To)\"\u003esolutions de semi-conducteurs de mémoire\u003c\/a\u003e pour vos projets. 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