{"product_id":"is61c1024al-12jli-tr","title":"IS61C1024AL-12JLI-TR","description":"\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eFréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4,5 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-BSOJ (0,300\", largeur 7,62 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-SOJ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003chr\u003e\n\u003ch2\u003e Présentation du produit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire SRAM \u003cstrong\u003eIS61C1024AL-12JLI-TR\u003c\/strong\u003e est un dispositif de mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 1 mégabit fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Cette SRAM asynchrone dispose d'une organisation mémoire de 128 Ko x 8, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels et les applications de mise en mémoire tampon de données nécessitant un accès mémoire rapide et fiable.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003ePerformances ultra-rapides :\u003c\/strong\u003e avec un temps d’accès de 12 ns et un cycle d’écriture de 12 ns, cette SRAM offre une vitesse exceptionnelle pour les applications critiques en termes de temps dans l’automatisation industrielle, les équipements de télécommunications et les systèmes informatiques embarqués.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eLarge plage de tension de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e La plage de tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V assure la compatibilité avec les systèmes logiques standard de 5 V tout en offrant une flexibilité pour diverses configurations d’alimentation.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eQualité de température industrielle :\u003c\/strong\u003e Conçue pour fonctionner de -40 °C à 85 °C, cette puce mémoire est destinée aux environnements industriels difficiles, aux applications automobiles et aux équipements extérieurs où les températures extrêmes sont fréquentes.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e L’interface mémoire parallèle assure une intégration simple avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs, éliminant ainsi la complexité des protocoles série.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eBoîtier de montage en surface :\u003c\/strong\u003e Le boîtier de montage en surface 32-BSOJ (32-SOJ) offre une disposition de circuit imprimé efficace et une compatibilité d'assemblage automatisé pour la fabrication en grande série.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003e Résumé des spécifications techniques\u003c\/h2\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité mémoire :\u003c\/strong\u003e 1 mégabit (organisation 128K x 8)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès :\u003c\/strong\u003e 12 nanosecondes\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTechnologie :\u003c\/strong\u003e SRAM asynchrone (RAM statique)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eTension d'alimentation :\u003c\/strong\u003e 4,5 V à 5,5 V\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTempérature de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e -40 °C à +85 °C (qualité industrielle)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eType de boîtier :\u003c\/strong\u003e BSOJ 32 broches (connecteur J à petit encombrement)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eMontage :\u003c\/strong\u003e Technologie de montage en surface (CMS)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eType de mémoire :\u003c\/strong\u003e volatile\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003e Applications\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SRAM est couramment utilisée dans :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes de contrôle industriel et automates programmables\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Processeurs embarqués et systèmes à microcontrôleur\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Routeurs et commutateurs réseau\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e systèmes d'acquisition de données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e électronique automobile\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Instrumentation médicale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e mémoire cache et mise en mémoire tampon des données\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003e Pourquoi choisir HQICKEY ?\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans les composants semi-conducteurs authentiques et de haute fiabilité pour les applications critiques. Chaque unité IS61C1024AL-12JLI-TR provient directement de distributeurs agréés, garantissant ainsi la qualité ISSI authentique, une traçabilité complète et la prise en charge de la garantie constructeur.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eAuthenticité garantie :\u003c\/strong\u003e Nous ne fournissons que des composants ISSI authentiques avec une provenance vérifiable.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eAssistance technique :\u003c\/strong\u003e Notre équipe d'ingénieurs offre une assistance technique dédiée pour les questions d'intégration et d'application.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eDisponibilité à long terme :\u003c\/strong\u003e Nous maintenons un stock de circuits intégrés de mémoire anciens et de génération actuelle afin de garantir des cycles de vie produits longs.\u003c\/p\u003e\n\u003ch2\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003esolutions de semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les dispositifs EEPROM, Flash, DRAM et SRAM des principaux fabricants.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Visitez la \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs et pièces électroniques de qualité supérieure\"\u003epage d'accueil de HQICKEY\u003c\/a\u003e pour parcourir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs haut de gamme destinés aux applications aérospatiales, automobiles et industrielles.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eRestez informé des dernières technologies en matière de semi-conducteurs, des tendances du secteur et des annonces de produits sur le \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"ACTUALITÉS - Blog HQICKEY\"\u003eblog HQICKEY News\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116061196577,"sku":"IS61C1024AL-12JLI-TR","price":8.54,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_32-SOJ_1760a766-e5ab-448b-86a9-6dd48c113161.jpg?v=1743647088","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is61c1024al-12jli-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}