{"product_id":"is61c6416al-12kli-tr","title":"IS61C6416AL-12KLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS61C6416AL-12KLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003epuce IS61C6416AL-12KLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile et des systèmes embarqués. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre une architecture 64K x 16 et un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAccès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible :\u003c\/strong\u003e architecture mémoire 64 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension d'alimentation :\u003c\/strong\u003e tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec la logique TTL\/CMOS standard.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e 44-BSOJ (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePrêt pour la production :\u003c\/strong\u003e Emballage en bande et bobine pour la fabrication en grande série\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 12 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4,5 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-BSOJ (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e  \u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eEmballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-SOJ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SRAM haute vitesse est parfaitement adaptée pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure de télécommunications et de réseaux\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e applications aérospatiales et de défense\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Acquisition et mise en mémoire tampon de données à haute vitesse\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e mémoire cache du système embarqué\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Garantie de qualité et d'authenticité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY - Distributeur authentique de composants semi-conducteurs\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e , nous garantissons l'authenticité à 100 % de nos composants ISSI, avec une traçabilité complète et un support tout au long de leur cycle de vie. Chaque unité IS61C6416AL-12KLI-TR provient directement de circuits de distribution agréés et est accompagnée de la garantie constructeur et de la documentation de conformité.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs de mémoire semi-conducteurs : solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM\"\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM d'une capacité allant de 64 bits à 6 To. Nos solutions de mémoire prennent en charge les interfaces I2C, SPI et parallèles pour les applications aérospatiales, automobiles et industrielles.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Pour découvrir les dernières tendances du secteur, des articles techniques et des annonces de produits, visitez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités HQICKEY - Informations et ressources techniques sur l'industrie des semi-conducteurs\"\u003eblog Actualités et Techniques\u003c\/a\u003e qui propose des analyses d'experts sur les technologies de mémoire, des notes d'application et les meilleures pratiques de conception.\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51115942248737,"sku":"IS61C6416AL-12KLI-TR","price":6.74,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_IS61C6416AL-12KLI_398e0df3-2fbc-46fb-822f-caab660a6bcb.jpg?v=1743643705","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is61c6416al-12kli-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}