{"product_id":"is61lv256al-10jli","title":"IS61LV256AL-10JLI","description":"\u003ch2\u003e IS61LV256AL-10JLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute vitesse 256 kbits\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire \u003cstrong\u003eIS61LV256AL-10JLI\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique asynchrone (SRAM) haute performance de 256 kbits conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un accès mémoire rapide et fiable. Cette SRAM CMOS offre une vitesse exceptionnelle avec un temps d'accès de 10 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes de contrôle industriel, les équipements de télécommunications, les périphériques réseau et les systèmes d'acquisition de données.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAccès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible :\u003c\/strong\u003e l’architecture mémoire 32 Ko x 8 offre une gestion optimale des données à l’échelle de l’octet\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement à basse tension :\u003c\/strong\u003e une tension d’alimentation de 3,3 V (3,135 V à 3,6 V) réduit la consommation d’énergie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface asynchrone :\u003c\/strong\u003e une interface parallèle simple élimine la complexité de la synchronisation d’horloge\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eBoîtier CMS (composant monté en surface) :\u003c\/strong\u003e boîtier SOJ à 28 broches optimisé pour l’assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eHaute fiabilité :\u003c\/strong\u003e la technologie CMOS assure la conservation des données et une stabilité à long terme\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications typiques\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire SRAM polyvalent est parfaitement adapté à :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plateformes informatiques embarquées\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de télécommunications et de réseau\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Mise en mémoire tampon et cache des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Instrumentation médicale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e électronique automobile\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de test et de mesure\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plateau |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3,135 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003eMontage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 28-BSOJ (0,300\", largeur 7,62 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 28-SOJ\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Explorez notre vaste sélection de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - SRAM, DRAM, Flash et plus encore\"\u003ecircuits intégrés de mémoire et de solutions semi-conducteurs\u003c\/a\u003e pour vos systèmes embarqués. 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