{"product_id":"is61wv12816edbll-10tli-tr","title":"IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire SRAM \u003cstrong\u003eIS61WV12816EDBLL-10TLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique (SRAM) de 2 mégabits haute vitesse et basse consommation, organisée en 128 000 mots sur 16 bits. Cette SRAM asynchrone offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant un accès rapide aux données et un stockage de données volatiles fiable.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAccès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les applications embarquées critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 128 Ko x 16 offre un équilibre optimal pour les systèmes de contrôle industriels et la mise en mémoire tampon des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e la plage d’alimentation de 2,4 V à 3,6 V offre une compatibilité avec diverses architectures système.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e le boîtier 44-TSOP II permet une conception efficace du circuit imprimé et un assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e intégration simple avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, à l'automatisation industrielle, aux équipements de réseau, aux infrastructures de télécommunications, aux systèmes d'acquisition de données et à toute application nécessitant un stockage de données temporaire rapide avec accès parallèle.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez HQICKEY, nous garantissons des composants ISSI 100 % authentiques, une traçabilité complète et une disponibilité à long terme. Notre équipe d'assistance technique accompagne les équipementiers et les intégrateurs de systèmes dans le choix des composants, vous assurant ainsi la solution mémoire la mieux adaptée à vos besoins de production. Nous proposons une livraison internationale et un service fiable pour les prototypes comme pour les commandes en série.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eConditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,4 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - SRAM, DRAM, Flash et plus encore\"\u003ecircuits intégrés de mémoire\u003c\/a\u003e pour applications embarquées et industrielles. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Distributeur de composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs authentiques. Restez informé des dernières tendances et guides techniques sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Blog technique HQICKEY - Actualités et guides sur les semi-conducteurs\"\u003eblog technique\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51115997659425,"sku":"IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR","price":7.94,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/pna_en_Public_0ecb8d40-cf95-455b-bfdd-ae6e2314d683.jpg?v=1743645839","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is61wv12816edbll-10tli-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}