{"product_id":"is61wv25616efbll-10tli-tr","title":"IS61WV25616EFBLL-10TLI-TR","description":"\u003ch2\u003e ISSI IS61WV25616EFBLL-10TLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire SRAM \u003cstrong\u003eIS61WV25616EFBLL-10TLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique asynchrone (SRAM) de 4 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications industrielles, automobiles et informatiques embarquées exigeantes. Dotée d'une organisation mémoire de 256 Ko x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 10 ns, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour le traitement et la mise en mémoire tampon des données en temps réel.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAccès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAlimentation flexible :\u003c\/strong\u003e sa large plage de tension (2,4 V à 3,6 V) prend en charge diverses architectures système.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eFiabilité de niveau industriel :\u003c\/strong\u003e plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eComposants authentiques :\u003c\/strong\u003e semi-conducteurs ISSI 100 % authentiques, avec traçabilité complète et engagement sur tout le cycle de vie.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,4 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003e44-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications cibles\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce groupe motopropulseur SRAM haute performance est idéal pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAutomatisation industrielle :\u003c\/strong\u003e automates programmables, contrôleurs de mouvement et systèmes d’automatisation d’usine nécessitant une mise en mémoire tampon rapide des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eÉlectronique automobile :\u003c\/strong\u003e systèmes avancés d’aide à la conduite (ADAS), systèmes d’infodivertissement et unités de contrôle du moteur\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInformatique embarquée :\u003c\/strong\u003e ordinateurs monocartes, processeurs embarqués et systèmes d’exploitation temps réel\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eDispositifs IoT et périphériques :\u003c\/strong\u003e capteurs intelligents, passerelles et plateformes de calcul en périphérie avec exigences de faible latence\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTélécommunications :\u003c\/strong\u003e routeurs de réseau, commutateurs et équipements d'infrastructure de communication\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAérospatiale et défense :\u003c\/strong\u003e Systèmes critiques exigeant une fiabilité élevée et un fonctionnement à température étendue\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Distributeur mondial de confiance de composants semi-conducteurs authentiques, HQICKEY garantit :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n \u003cli\u003e✓ Composants ISSI 100 % authentiques avec traçabilité du fabricant\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e ✓ Stabilité de l'approvisionnement à long terme et soutien à la gestion du cycle de vie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e ✓ Expertise technique pour la sélection et l'intégration des composants\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e ✓ Prix compétitifs pour les prototypes et les volumes de production\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e ✓ Livraison rapide dans le monde entier avec emballage sécurisé\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre vaste sélection de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003emémoires semi-conductrices : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To)\u003c\/a\u003e pour vos systèmes embarqués et applications industrielles. Visitez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs authentiques\"\u003eHQICKEY – Composants semi-conducteurs authentiques –\u003c\/a\u003e pour consulter notre catalogue complet de processeurs, microcontrôleurs, circuits intégrés d’interface et bien plus encore. 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