{"product_id":"is61wv25616fall-10bli-tr","title":"IS61WV25616FALL-10BLI-TR","description":"\u003ch2\u003e Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa puce IS61WV25616FALL-10BLI-TR est une mémoire vive statique (SRAM) de 4 Mbits haute fiabilité, conçue par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Cette SRAM parallèle asynchrone offre des performances exceptionnelles grâce à un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et un fonctionnement sous très basse tension (1,65 V à 2,2 V), ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués alimentés par batterie et à faible consommation d'énergie.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAccès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation optimale de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 256 Ko x 16 offre une architecture de stockage de données flexible\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement à basse tension :\u003c\/strong\u003e une tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V réduit la consommation d’énergie et la génération de chaleur.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures étendue :\u003c\/strong\u003e un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans les environnements industriels les plus difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eMontage en surface compact :\u003c\/strong\u003e le boîtier 48-TFBGA (6x8) optimise l'utilisation de l'espace sur le circuit imprimé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement en bande et bobine :\u003c\/strong\u003e Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,65 V ~ 2,2 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 48-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 48-TFBGA (6x8)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eCette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée aux applications exigeantes telles que les systèmes avioniques aérospatiaux, les unités de commande de moteurs automobiles (ECU), les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical, les routeurs et commutateurs de télécommunications, les systèmes d'acquisition de données et les plateformes informatiques embarquées où l'intégrité des données et les performances sont primordiales.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Qualité et conformité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Conforme à la directive RoHS et fabriqué selon les normes de qualité les plus strictes, ce composant SRAM répond aux exigences de fiabilité les plus élevées pour une utilisation professionnelle et industrielle. Son boîtier CMS 48-TFBGA garantit une grande stabilité mécanique et d'excellentes performances thermiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To)\"\u003esolutions de mémoire à semi-conducteurs,\u003c\/a\u003e incluant les composants SRAM, DRAM, Flash et EEPROM, pour vos systèmes embarqués. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Semiconducteurs haute fiabilité\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs de qualité aérospatiale, automobile et industrielle. Restez informé(e) des dernières technologies et tendances du secteur des semi-conducteurs grâce à notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"NOUVELLES\"\u003eblog technique\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116168479009,"sku":"IS61WV25616FALL-10BLI-TR","price":10.26,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_48TFBGA-1.2-6X8_48_e034ca27-e591-422c-a23c-6d448f7d8307.jpg?v=1743649989","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is61wv25616fall-10bli-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}