{"product_id":"is61wv25616fall-10bli","title":"IS61WV25616FALL-10BLI","description":"\u003ch2\u003eIS61WV25616FALL-10BLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Le circuit intégré \u003cstrong\u003eIS61WV25616FALL-10BLI\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haut de gamme, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultra-rapide de 10 ns et un fonctionnement robuste sur une large plage de températures.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAccès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation flexible de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 256 Ko x 16 optimise l’efficacité du traitement des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement à basse tension :\u003c\/strong\u003e une tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V réduit la consommation d’énergie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de température étendue :\u003c\/strong\u003e fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) garantissant une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e simplifie l’intégration avec les architectures système existantes\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS (composant monté en surface) : le boîtier\u003c\/strong\u003e 48-TFBGA (6x8) permet de concevoir des circuits imprimés compacts.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\n\u003ctbody\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e En vrac |\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 4 Mbit\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 256K x 16\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 1,65 V ~ 2,2 V\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 48-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e 48-TFBGA (6x8)\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\u003ctr\u003e\n\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\n\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eCe circuit intégré SRAM haute fiabilité est idéal pour les applications exigeantes telles que les systèmes embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les équipements de diagnostic médical, les infrastructures de télécommunications et l'avionique aérospatiale, où l'intégrité des données et les performances sont primordiales.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e ISSI est synonyme d'excellence reconnue dans le domaine des semi-conducteurs, forte de plusieurs décennies d'innovation dans les technologies de mémoire. Le circuit intégré IS61WV25616FALL-10BLI illustre parfaitement son engagement envers la qualité, la fiabilité et la performance des solutions de mémoire volatile destinées aux applications professionnelles et industrielles.\u003c\/p\u003e\n\u003chr\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire et solutions semi-conducteurs\"\u003ecircuits intégrés de mémoire et de solutions semi-conducteurs\u003c\/a\u003e pour votre prochain projet. Visitez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Semiconducteurs haute fiabilité\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir des composants haut de gamme destinés aux secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et de l'industrie. 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