{"product_id":"is61wv25616fbll-10bli-tr","title":"IS61WV25616FBLL-10BLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS61WV25616FBLL-10BLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire SRAM asynchrone IS61WV25616FBLL-10BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un dispositif de mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile présente une organisation de 256 Ko x 16 avec interface parallèle, offrant des performances exceptionnelles avec un temps d'accès et un temps de cycle d'écriture de 10 ns.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eConçue pour les environnements exigeants, cette mémoire SRAM à montage en surface fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C (TA), avec une tension d'alimentation flexible de 2,4 V à 3,6 V. Son boîtier compact 48-TFBGA (6 x 8) permet une intégration peu encombrante pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables. Conforme à la directive RoHS pour une démarche écoresponsable.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,4 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 48-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 48-TFBGA (6x8)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e    \u003ctd\u003eRoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003esolutions de mémoire semi-conductrice,\u003c\/a\u003e incluant les mémoires EEPROM, Flash, DRAM et SRAM, pour répondre aux exigences de vos systèmes embarqués. Consultez la \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY - Semiconducteurs haute fiabilité\"\u003epage d'accueil de HQICKEY\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs haute fiabilité, ou visitez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Dernières actualités et mises à jour sur les semi-conducteurs - HQICKEY\"\u003eblog d'actualités sur les semi-conducteurs\u003c\/a\u003e pour vous tenir informé des dernières nouveautés et analyses techniques du secteur.\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116129222945,"sku":"IS61WV25616FBLL-10BLI-TR","price":9.48,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_48TFBGA-1.2-6X8_48_3759fb9e-4c1a-4423-a529-02a39de1dd31.jpg?v=1743648763","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is61wv25616fbll-10bli-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}