{"product_id":"is62wv10248hbll-45tli-tr","title":"IS62WV10248HBLL-45TLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS62WV10248HBLL-45TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 8 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLe circuit intégré \u003cstrong\u003eIS62WV10248HBLL-45TLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SRAM asynchrone 8 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette SRAM à interface parallèle dispose d'une organisation mémoire 1M x 8 et d'un temps d'accès rapide de 45 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse et les applications de systèmes embarqués.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 45 ns pour des opérations de données rapides.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAlimentation flexible :\u003c\/strong\u003e une large plage de tension (2,2 V à 3,6 V) prend en charge diverses configurations de systèmes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact :\u003c\/strong\u003e boîtier de montage en surface 44-TSOP II (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement prêt pour la production :\u003c\/strong\u003e format bande et bobine pour assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,2 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire SRAM est parfaitement adapté pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Mise en mémoire tampon des données dans les équipements de communication à haut débit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Mémoire cache dans les contrôleurs industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e stockage de données des dispositifs médicaux\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eapplications aérospatiales et de défense\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Assistance et documentation en matière de conception\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Une documentation technique complète, des fiches techniques, des schémas de référence et des notes d'application sont disponibles pour faciliter votre processus d'intégration. Notre équipe d'ingénieurs assure un support technique complet pour l'intégration, les tests et la qualification.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Qualité et conformité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Tous les produits bénéficient d'une traçabilité complète, d'une certification de conformité RoHS\/REACH et proviennent de circuits de distribution agréés afin de garantir leur authenticité et leur fiabilité pour les applications critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Composants et solutions de mémoire\"\u003ecomposants et solutions de mémoire\u003c\/a\u003e , incluant des produits SRAM, DRAM, Flash et des mémoires spécialisées. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour parcourir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs haute fiabilité. Restez informé(e) des dernières tendances, articles techniques et annonces produits sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Blog d'actualités et technique de HQICKEY\"\u003eblog Actualités et Technique\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116424593697,"sku":"IS62WV10248HBLL-45TLI-TR","price":13.79,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/pna_en_Public_2c002aa8-37c2-476f-bce2-2b73d46aa146.jpg?v=1743655675","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is62wv10248hbll-45tli-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}