{"product_id":"is62wv12816bll-55t-tr","title":"IS62WV12816BLL-55T-TR","description":"\u003ch2\u003e IS62WV12816BLL-55T-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 2 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Le circuit intégré IS62WV12816BLL-55T-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone de 2 Mbits haute fiabilité, conçue pour les systèmes embarqués critiques. Cette SRAM parallèle offre une organisation mémoire de 128 Ko x 16 avec un temps d'accès rapide de 55 ns, ce qui la rend idéale pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et aérospatiales nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 55 ns pour un traitement rapide des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAlimentation flexible :\u003c\/strong\u003e large plage de tension (2,5 V à 3,6 V) pour une intégration système polyvalente\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eArchitecture mémoire fiable :\u003c\/strong\u003e capacité de 2 Mbit avec une organisation de 128 Ko x 16 pour un stockage de données efficace\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact :\u003c\/strong\u003e boîtier de montage en surface 44-TSOP II (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 55 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 55 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,5 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eEmballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire SRAM est conçu pour des applications exigeantes, notamment :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes embarqués et conceptions à base de microcontrôleurs\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de télécommunications et dispositifs de réseau\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux nécessitant une mise en mémoire tampon fiable des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes aérospatiaux et de défense\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir la mémoire SRAM ISSI ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e ISSI est un fabricant reconnu de solutions de mémoire semi-conductrices de haute qualité, fort de plusieurs décennies d'expérience dans la fourniture de composants fiables pour les applications critiques. La mémoire IS62WV12816BLL-55T-TR offre des performances exceptionnelles, une longue durée de vie et une fiabilité éprouvée pour vos projets les plus exigeants.\u003c\/p\u003e\n\u003chr\u003e\n\u003ch3\u003e Explorez davantage de composants semi-conducteurs haut de gamme\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Vous recherchez des solutions de mémoire supplémentaires ou d'autres composants semi-conducteurs ? Consultez notre catalogue complet :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - SRAM, DRAM, Flash et plus encore\"\u003eCollection de circuits intégrés mémoire\u003c\/a\u003e - Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire SRAM, DRAM, Flash et spécialisées.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eAccueil HQICKEY\u003c\/a\u003e - Découvrez notre gamme complète de composants semi-conducteurs haute fiabilité pour systèmes embarqués et industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Ressources techniques et actualités du secteur\"\u003eBlog technique et actualités\u003c\/a\u003e - Restez informé des dernières analyses techniques, notes d'application et tendances du secteur\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116099600673,"sku":"IS62WV12816BLL-55T-TR","price":8.92,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/pna_en_Public_63b437da-665f-4572-a31f-9aa1157ded55.jpg?v=1743647812","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is62wv12816bll-55t-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}