{"product_id":"is62wv12816eall-55bli-tr","title":"IS62WV12816EALL-55BLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS62WV12816EALL-55BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Le circuit intégré \u003cstrong\u003eIS62WV12816EALL-55BLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 2 mégabits, conçue pour les systèmes embarqués et les applications électroniques industrielles exigeant un stockage de données volatiles rapide et fiable. Cette SRAM parallèle haute performance dispose d'une organisation mémoire de 128 Ko x 16 avec un temps d'accès ultrarapide de 45 ns et un temps de cycle d'écriture de 55 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e un temps d'accès de 45 ns et un temps de cycle d'écriture de 55 ns garantissent une récupération et un stockage rapides des données pour les applications critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eOrganisation flexible de la mémoire :\u003c\/strong\u003e la configuration 128 Ko x 16 bits offre un équilibre optimal entre densité et largeur de mot pour les systèmes embarqués.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement à basse tension :\u003c\/strong\u003e la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2,2 V réduit la consommation d’énergie tout en maintenant les performances.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), idéal pour les environnements industriels difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e Le boîtier compact 48-TFBGA (6 x 8 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé dans les conceptions à espace restreint.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003eSRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 55 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,65 V ~ 2,2 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 48-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 48-TFBGA (6x8)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire SRAM asynchrone IS62WV12816EALL-55BLI-TR est parfaitement adaptée aux applications suivantes :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Mémoire tampon et cache des données des systèmes embarqués\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Routeurs de réseau, commutateurs et infrastructure de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs et instruments médicaux\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements de test et de mesure\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Extension de mémoire locale du FPGA et du processeur\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eChez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Fournisseur de composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003e\u003cstrong\u003eHQICKEY\u003c\/strong\u003e\u003c\/a\u003e , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, avec une disponibilité garantie sur le long terme et un support technique dédié. Notre vaste gamme de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003e\u003cstrong\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire\u003c\/strong\u003e\u003c\/a\u003e comprend des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM provenant des plus grands fabricants mondiaux.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Nous comprenons l'importance cruciale de composants de mémoire fiables pour vos projets d'électronique embarquée et industrielle. C'est pourquoi nous appliquons des normes de contrôle qualité rigoureuses et proposons une documentation technique complète pour vous accompagner dans la conception et l'approvisionnement.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Informations sur la commande\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eLe modèle IS62WV12816EALL-55BLI-TR est disponible en conditionnement sur bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés. Contactez notre équipe technico-commerciale pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison et les options de conditionnement personnalisées.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Pour plus d'informations sur notre gamme complète de solutions pour semi-conducteurs, consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"ACTUALITÉS - Mises à jour de l'industrie des semi-conducteurs HQICKEY\"\u003e\u003cstrong\u003eblog d'actualités et de mises à jour\u003c\/strong\u003e\u003c\/a\u003e pour rester informé des derniers lancements de produits, des tendances du secteur et des analyses techniques.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cem\u003eFaites confiance à HQICKEY pour des composants semi-conducteurs authentiques, une distribution mondiale et un support technique expert.\u003c\/em\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116043927841,"sku":"IS62WV12816EALL-55BLI-TR","price":8.32,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_48TFBGA-1.2-6X8_48_cbb4a3a5-b495-414a-ad0e-d8b3790d6f00.jpg?v=1743646718","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is62wv12816eall-55bli-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}