{"product_id":"is62wv12816ebll-45bli","title":"IS62WV12816EBLL-45BLI","description":"\u003ch2\u003e IS62WV12816EBLL-45BLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire \u003cstrong\u003eIS62WV12816EBLL-45BLI\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 2 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Dotée d'une organisation mémoire 128K x 16 avec interface parallèle, cette mémoire volatile offre un temps d'accès rapide de 45 ns et fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation, de 2,2 V à 3,6 V. Son boîtier compact 48-TFBGA (6x8) pour montage en surface garantit une intégration optimisée tout en assurant des performances robustes sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eConçue pour les applications exigeant un accès rapide aux données et un stockage temporaire fiable, cette puce SRAM est idéale pour les systèmes à microcontrôleur, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel. Son architecture asynchrone élimine le besoin de synchronisation d'horloge, simplifiant ainsi la conception du système et réduisant la consommation d'énergie.\u003c\/p\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plateau |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,2 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 48-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 48-TFBGA (6x8)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Explorez davantage de solutions semi-conducteurs haut de gamme\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003eParcourez notre gamme complète de mémoires\u003c\/a\u003e : découvrez nos solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM, d’une capacité de 64 octets à 6 To.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs et solutions de mémoire haut de gamme\"\u003eVisitez la page d'accueil de HQICKEY\u003c\/a\u003e - Votre source de confiance pour des composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Dernières actualités et analyses techniques du secteur des semi-conducteurs - HQICKEY\"\u003eConsultez notre blog technique\u003c\/a\u003e – Restez informé des dernières actualités et analyses techniques du secteur des semi-conducteurs.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51115897946401,"sku":"IS62WV12816EBLL-45BLI","price":5.62,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_48TFBGA-1.2-6X8_48_a43f4a99-3a70-40da-8b51-aa9373ee669c.jpg?v=1743641717","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is62wv12816ebll-45bli","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}