{"product_id":"is62wv1288dbll-45hli-tr","title":"IS62WV1288DBLL-45HLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS62WV1288DBLL-45HLI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire SRAM asynchrone \u003cstrong\u003eIS62WV1288DBLL-45HLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance de 1 mégabit conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès rapide de 45 ns et fonctionne sur une large plage de tensions de 2,3 V à 3,6 V, ce qui le rend idéal pour les applications alimentées par batterie et basse consommation.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité mémoire de 1 Mbit :\u003c\/strong\u003e organisée en 128 Ko x 8, offrant un espace de stockage suffisant pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eTemps d'accès ultrarapide de 45 ns :\u003c\/strong\u003e garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques en temps réel dans les contrôleurs industriels et les systèmes embarqués.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e la tension d’alimentation de 2,3 V à 3,6 V prend en charge les applications fonctionnant sur batterie 3,3 V et basse consommation.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), idéal pour les environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS :\u003c\/strong\u003e Le boîtier compact 32-TSOP I (32-TFSOP) optimise l'espace sur le circuit imprimé et permet un assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eCe circuit intégré de mémoire SRAM est parfaitement adapté aux applications suivantes : avionique aérospatiale, calculateurs automobiles, contrôleurs d’automatisation industrielle, dispositifs médicaux, équipements de télécommunications, systèmes d’acquisition de données et plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec une durée de vie prolongée.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Avantages en matière de performance\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Contrairement à la DRAM, cette SRAM asynchrone ne nécessite aucun cycle de rafraîchissement, éliminant ainsi la surcharge liée à ce processus et garantissant des temps d'accès déterministes, essentiels pour les systèmes temps réel. Son temps d'accès de 45 ns permet une mise en mémoire tampon des données à haute vitesse dans les automates programmables industriels, les équipements réseau et les systèmes de sécurité automobile. Sa large plage de tension et sa résistance aux températures industrielles assurent un fonctionnement fiable dans des environnements extrêmes où les mémoires commerciales standard seraient défaillantes.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003eSRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,3 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-TFSOP (0,465\", largeur 11,80 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-sTSOP I\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Considérations relatives à l'intégration et à la conception\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eLors de l'intégration du circuit intégré IS62WV1288DBLL-45HLI-TR dans votre conception, veillez à placer des condensateurs de découplage appropriés (0,1 µF céramique) à proximité de chaque broche VCC afin de minimiser le bruit d'alimentation. L'interface parallèle requiert des connexions standard pour les bus d'adresse et de données, avec les signaux de contrôle CE (Chip Enable), OE (Output Enable) et WE (Write Enable). Pour une intégrité optimale du signal avec un temps d'accès de 45 ns, limitez la longueur des pistes et utilisez une terminaison adaptée aux signaux haute vitesse. Ce composant prend en charge les opérations par octet, ce qui le rend idéal pour les systèmes à microcontrôleur 8 bits.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eChez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY - Solutions semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e , nous sommes spécialisés dans l'approvisionnement authentique et le support tout au long du cycle de vie des semi-conducteurs haut de gamme. 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