{"product_id":"is62wv25616ebll-45tli-tr","title":"IS62WV25616EBLL-45TLI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS62WV25616EBLL-45TLI-TR : Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbits\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Le circuit intégré \u003cstrong\u003eIS62WV25616EBLL-45TLI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haut de gamme, conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant des solutions de mémoire volatile rapides, fiables et basse consommation. Grâce à son organisation mémoire 256K x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 45 ns, cette SRAM de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles pour les applications aérospatiales, automobiles, de télécommunications et de contrôle industriel.\u003c\/p\u003e \u003ch3\u003ePrincipales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAccès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAlimentation flexible :\u003c\/strong\u003e large plage de tension de fonctionnement de 2,2 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e bus de données parallèle à haut débit pour un débit maximal\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eMontage en surface compact :\u003c\/strong\u003e Boîtier 44-TSOP II peu encombrant (0,400\", largeur de 10,16 mm)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la norme RoHS :\u003c\/strong\u003e construction écologique et sans plomb\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement en bande et bobine :\u003c\/strong\u003e prêt pour les processus d’assemblage automatisés\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256K x 16\u003c\/td\u003e  \u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eInterface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,2 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 44-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour les systèmes embarqués dans l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et les équipements militaires\/de défense où l'intégrité des données et les performances sont primordiales.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY pour vos besoins en circuits intégrés de mémoire ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eChez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e , nous nous spécialisons dans l'approvisionnement en composants semi-conducteurs de qualité industrielle, garantissant leur authenticité et leur disponibilité à long terme. 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