{"product_id":"is62wv5128ebll-45tli-tr","title":"IS62WV5128EBLL-45TLI-TR","description":"\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003eBande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,2 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-TFSOP (0,724\", largeur 18,40 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-TSOP I\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch2\u003e Présentation du produit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La puce mémoire SRAM asynchrone haute performance \u003cstrong\u003eIS62WV5128EBLL-45TLI-TR\u003c\/strong\u003e de 4 Mbits, fabriquée par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.), offre une interface parallèle de 512 Ko x 8 et une fiabilité exceptionnelle grâce à un temps d'accès rapide de 45 ns. Elle constitue ainsi le choix idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels et les applications critiques nécessitant un accès instantané aux données sans cycle de rafraîchissement.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eTemps d'accès ultra-rapide de 45 ns\u003c\/strong\u003e pour le traitement des données en temps réel et les applications à haut débit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement à faible consommation\u003c\/strong\u003e avec une tension d'alimentation de 2,2 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eUne large plage de températures industrielles\u003c\/strong\u003e (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS 32-TSOP I\u003c\/strong\u003e pour une conception de circuits imprimés compacte et un assemblage automatisé\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS\u003c\/strong\u003e pour la sécurité environnementale et la conformité réglementaire\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle asynchrone\u003c\/strong\u003e pour une intégration simple sans exigences de synchronisation complexes\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAucune actualisation requise\u003c\/strong\u003e - véritable RAM statique pour une conception système simplifiée\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée à une large gamme d'applications exigeantes, notamment :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Équipements réseau et routeurs nécessitant une mémoire tampon rapide\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructures de télécommunications et stations de base\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes électroniques automobiles et ADAS\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes aérospatiaux et de défense\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Automatisation industrielle et automates programmables\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eDispositifs médicaux et équipements de diagnostic\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Avantages techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e L'architecture asynchrone élimine le besoin de synchronisation d'horloge, simplifiant la conception du système et réduisant la consommation d'énergie. L'organisation 512 Ko x 8 offre un accès flexible aux données par octet, tandis que le temps d'accès de 45 ns garantit que votre système peut gérer les exigences de traitement en temps réel les plus strictes. La large plage de tension (2,2 V à 3,6 V) rend cette SRAM compatible avec les systèmes 3,3 V et les tensions inférieures, offrant ainsi une grande flexibilité de conception pour les applications modernes basse consommation.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003esolutions de semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les dispositifs EEPROM, Flash, DRAM et SRAM des principaux fabricants du monde entier.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eVisitez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs et pièces électroniques de qualité supérieure\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs et de pièces électroniques haut de gamme destinés aux applications industrielles, automobiles, aérospatiales et embarquées.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé des dernières actualités du secteur, des lancements de produits, des analyses techniques et des notes d'application sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"ACTUALITÉS - Blog HQICKEY\"\u003eblog\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116059132193,"sku":"IS62WV5128EBLL-45TLI-TR","price":8.54,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_32TSOP1-18.4_32_0f4b5443-e1f8-40fc-884a-dddb2c4d0e25.jpg?v=1743647057","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is62wv5128ebll-45tli-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}