{"product_id":"is62wv5128ebll-45tli","title":"IS62WV5128EBLL-45TLI","description":"\u003ch2\u003e IS62WV5128EBLL-45TLI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa mémoire \u003cstrong\u003eIS62WV5128EBLL-45TLI\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une \u003cstrong\u003eSRAM asynchrone 4 Mbit\u003c\/strong\u003e haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant une mémoire volatile rapide et une intégrité des données exceptionnelle. Ce circuit intégré de mémoire de qualité industrielle présente une \u003cstrong\u003earchitecture 512 Ko x 8\u003c\/strong\u003e avec une interface parallèle, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, de télécommunications et de contrôle industriel.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d'accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e la plage d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses conceptions de systèmes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface parallèle :\u003c\/strong\u003e accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit sans surcharge de protocole.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eBoîtier CMS : le boîtier\u003c\/strong\u003e 32-TFSOP (largeur de 18,40 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,2 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-TFSOP (0,724\", largeur 18,40 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32-TSOP I\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eCe circuit intégré SRAM est conçu pour des applications exigeantes telles que les contrôleurs d'automatisation industrielle, les systèmes avioniques aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les équipements de diagnostic médical, l'infrastructure de télécommunications et la mise en mémoire tampon de données à haute fiabilité où un accès mémoire rapide et déterministe est essentiel.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Qualité et fiabilité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Fabriqué par ISSI selon des contrôles de qualité rigoureux, ce composant offre la fiabilité et la constance de performance à long terme requises pour les systèmes embarqués critiques. Sa conformité à la directive RoHS garantit le respect de l'environnement sans compromettre l'excellence technique.\u003c\/p\u003e\n\u003chr\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eExplorez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - Solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM\"\u003ecircuits intégrés de mémoire\u003c\/a\u003e pour systèmes embarqués ou consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de solutions semi-conducteurs haute fiabilité. Pour des informations techniques et des notes d'application, consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Blog technique HQICKEY - Actualités et guides d'application sur les semi-conducteurs\"\u003eblog technique\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116113559841,"sku":"IS62WV5128EBLL-45TLI","price":9.07,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_32TSOP1-18.4_32_1665b8ca-826f-4f86-b27c-8a40989a53e5.jpg?v=1743648139","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is62wv5128ebll-45tli","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}