{"product_id":"is62wv6416all-55bi-tr","title":"IS62WV6416ALL-55BI-TR","description":"\u003ch2\u003e IS62WV6416ALL-55BI-TR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa \u003cstrong\u003epuce IS62WV6416ALL-55BI-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 55 ns et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité mémoire de 1 Mbit :\u003c\/strong\u003e l’organisation 64 Ko x 16 offre un stockage de données optimal pour les systèmes embarqués.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès rapide : une\u003c\/strong\u003e performance de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement à basse tension :\u003c\/strong\u003e une tension d’alimentation de 1,7 V à 2,2 V réduit la consommation d’énergie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures étendue :\u003c\/strong\u003e fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e l’encombrement de 48 TFBGA (6 x 8) optimise l’espace sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 Mbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64K x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 55 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 55 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,7 V ~ 2,2 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 48-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 48-TFBGA (6x8)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette SRAM asynchrone est idéale pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une haute fiabilité\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique automobile et applications critiques pour la sécurité\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eInfrastructure de télécommunications et matériel de réseau\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes embarqués nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire haute performance. L'entreprise fournit des composants conçus pour offrir durabilité, fiabilité et performances constantes, même dans les environnements les plus exigeants. La mémoire IS62WV6416ALL-55BI-TR illustre parfaitement l'engagement d'ISSI envers la qualité grâce à sa conception robuste, sa plage de températures de fonctionnement étendue et sa conformité aux normes industrielles.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To)\"\u003esolutions de semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les composants SRAM, DRAM, Flash et EEPROM, pour vos conceptions de systèmes embarqués.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eVisitez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Semiconducteurs haute fiabilité pour applications aérospatiales, automobiles et industrielles\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs haute fiabilité destinés aux applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé des dernières tendances du secteur, des lancements de produits et des articles techniques sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"ACTUALITÉS - HQICKEY : Actualités et ressources techniques sur l'industrie des semi-conducteurs\"\u003eblog d'actualités\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"ISSI, Integrated Silicon Solution Inc","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116142428449,"sku":"IS62WV6416ALL-55BI-TR","price":9.63,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_706_48TFBGA-1.2-6X8_48_5f662067-16ed-46df-8948-f95d0a4318d3.jpg?v=1743649012","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/is62wv6416all-55bi-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}