{"product_id":"is65lv256al-45tla3-tr","title":"IS65LV256AL-45TLA3-TR","description":"\u003ch2\u003e IS65LV256AL-45TLA3-TR - SRAM asynchrone haute fiabilité 256 Kbits\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire \u003cstrong\u003eIS65LV256AL-45TLA3-TR\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SRAM asynchrone haut de gamme de 256 kbits conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant des temps d'accès rapides et une fiabilité exceptionnelle. Ce circuit intégré de mémoire parallèle haute performance présente une organisation de 32 Kbits x 8 et un temps d'accès ultrarapide de 45 ns, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances ultra-rapides :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 45 ns et un temps de cycle d’écriture de 45 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e Plage de températures de qualité industrielle (-40 °C à 125 °C) pour les environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eFonctionnement à basse tension :\u003c\/strong\u003e tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eMontage en surface compact :\u003c\/strong\u003e boîtier TSOP I 28 pouces (largeur de 11,80 mm) optimisé pour les circuits imprimés à espace restreint\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement en bande et bobine :\u003c\/strong\u003e Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e ISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SRAM - Asynchrone\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 45 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 3,6V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 125°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003e28-TSSOP (0,465\", largeur 11,80 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 28-TSOP I\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SRAM est conçue pour les applications exigeantes, notamment les contrôleurs embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les systèmes d'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile et les équipements de télécommunications, où l'intégrité et la vitesse des données sont primordiales.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir HQICKEY ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003e\u003cstrong\u003eHQICKEY\u003c\/strong\u003e\u003c\/a\u003e , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de qualité industrielle, avec une authenticité garantie, une traçabilité complète et un support technique expert. 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