{"product_id":"is66wvo8m8fall-200bli","title":"IS66WVO8M8FALL-200BLI","description":"\u003ch2\u003eIS66WVO8M8FALL-200BLI - PSRAM SPI octale haute performance de 64 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003epuce IS66WVO8M8FALL-200BLI\u003c\/strong\u003e d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire PSRAM (pseudo SRAM) haute performance de 64 Mbits dotée d'une interface SPI octale avancée, capable de fonctionner à des fréquences allant jusqu'à 200 MHz. Ce circuit intégré mémoire est conçu pour les applications embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable à faible consommation (plage de tension de fonctionnement de 1,7 V à 1,95 V). Son architecture 8M x 8 et son boîtier CMS 24-TFBGA la rendent idéale pour les conceptions à espace restreint dans les secteurs de l'automobile, du contrôle industriel, de l'IoT et de l'aérospatiale.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Avec un temps d'accès impressionnant de 5 ns et un cycle d'écriture de 35 ns, cette mémoire PSRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon de données en temps réel, les contrôleurs d'affichage et les interfaces de communication haut débit. Sa large plage de températures de fonctionnement, de -40 °C à 85 °C, garantit un fonctionnement fiable même dans les environnements industriels les plus exigeants.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003eISSI, Integrated Silicon Solution Inc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Plateau |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e PSRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e PSRAM (Pseudo SRAM)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI - E\/S octales\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 200 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 35 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,7 V ~ 1,95 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 24-TBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 24-TFBGA (6x8)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances ultra-rapides :\u003c\/strong\u003e une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 5 ns permettent un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface SPI octale :\u003c\/strong\u003e l’interface d’E\/S 8 bits avancée maximise la bande passante tout en minimisant le nombre de broches par rapport à la mémoire parallèle traditionnelle.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eFonctionnement à faible consommation :\u003c\/strong\u003e une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V réduit la consommation d’énergie, idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale dans les applications automobiles, d'automatisation industrielle et extérieures.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eEncombrement réduit :\u003c\/strong\u003e le boîtier 24-TFBGA (6 x 8 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte dans les systèmes électroniques miniaturisés.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eArchitecture pseudo-SRAM :\u003c\/strong\u003e combine la densité de la DRAM avec la simplicité de l’interface SRAM ; aucun circuit de rafraîchissement n’est nécessaire.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eApplications polyvalentes :\u003c\/strong\u003e Idéal pour les systèmes embarqués, les objets connectés, l’infodivertissement automobile, les interfaces homme-machine industrielles et les équipements de communication.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire haute fiabilité est conçu pour des applications critiques telles que les systèmes ADAS automobiles, les automates programmables industriels, les dispositifs médicaux, l'avionique aérospatiale, les routeurs de réseau et les plateformes informatiques embarquées hautes performances.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) – HQICKEY\u003c\/a\u003e pour vos projets d’électronique embarquée et industrielle. 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