{"product_id":"m93c66-rmb6tg","title":"M93C66-RMB6TG","description":"\u003ch2\u003e STMicroelectronics M93C66-RMB6TG - Circuit intégré de mémoire EEPROM 4 Kbits\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa \u003cstrong\u003eM93C66-RMB6TG\u003c\/strong\u003e de STMicroelectronics est une mémoire EEPROM 4 Kbits haute fiabilité dotée de la technologie d'interface série Microwire. Cette solution de mémoire non volatile est conçue pour les applications industrielles et embarquées exigeant une conservation fiable des données et une organisation flexible de la mémoire.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eOrganisation de la mémoire double :\u003c\/strong\u003e configurable en 512 x 8 bits ou 256 x 16 bits pour une plus grande flexibilité d'application\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension :\u003c\/strong\u003e fonctionne de 1,8 V à 5,5 V, compatible avec diverses architectures système.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Conçu pour un fonctionnement de -40 °C à 85 °C dans des environnements exigeants\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances d'écriture rapides :\u003c\/strong\u003e un cycle d'écriture de 5 ms garantit un stockage de données efficace\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e 8-UFDFN (2 x 3 mm) avec pastille exposée pour des performances thermiques supérieures\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface Microwire :\u003c\/strong\u003e Protocole série standard avec une fréquence d'horloge de 1 MHz\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e STMicroelectronics\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e EEPROM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e EEPROM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4Kbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 x 8, 256 x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Microfil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 5 ms\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,8 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Coussinet exposé 8-UFDFN\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-UFDFPN (2x3)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Le M93C66-RMB6TG est idéal pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e stockage de la configuration du système embarqué\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Conservation des données d'étalonnage dans les instruments de mesure\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Stockage des paramètres dans l'électronique automobile\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique grand public nécessitant une mémoire non volatile\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eDispositifs IoT et capteurs intelligents\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir une EEPROM STMicroelectronics ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e STMicroelectronics offre une fiabilité éprouvée dans le domaine des semi-conducteurs de mémoire. Le M93C66-RMB6TG allie un format compact, une large plage de tension de fonctionnement et des performances thermiques de niveau industriel, ce qui en fait le choix idéal pour les applications critiques où l'intégrité des données est primordiale.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant les solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM des plus grands fabricants. Consultez le catalogue complet de composants électroniques industriels sur \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs et pièces électroniques de qualité supérieure\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e . Restez informé(e) des dernières tendances et nouveautés produits sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"ACTUALITÉS - Blog HQICKEY\"\u003eblog\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"STMicroelectronics","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51115656315169,"sku":"M93C66-RMB6TG","price":355874.9,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_497_UFDFPN-01_MB_8_9c4066fb-8e6d-4e25-8e45-6e4619074166.jpg?v=1743633874","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/m93c66-rmb6tg","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}