{"product_id":"mb85rc16vpnf-g-awere2","title":"MB85RC16VPNF-G-AWERE2","description":"\u003ch2\u003e MB85RC16VPNF-G-AWERE2 - Solution de mémoire FRAM haute performance\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) \u003cstrong\u003eMB85RC16VPNF-G-AWERE2\u003c\/strong\u003e de RAMXEED est un dispositif de pointe de 16 kbits conçu pour les applications exigeant un stockage de données rapide, fiable et non volatil. Cette puce mémoire de qualité industrielle combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations et les systèmes embarqués critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePerformances d'écriture ultra-rapides :\u003c\/strong\u003e contrairement à la mémoire EEPROM ou Flash traditionnelle, la technologie FRAM permet une endurance d'écriture pratiquement illimitée (10¹⁵ cycles) sans délai d'écriture, assurant une capture de données rapide et une réactivité du système.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie :\u003c\/strong\u003e fonctionnant entre 3 V et 5,5 V avec un courant actif minimal, cette solution de mémoire prolonge l'autonomie de la batterie dans les applications portables et IoT.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Conçu pour un fonctionnement de -40 °C à 85 °C, garantissant des performances fiables dans les environnements difficiles des secteurs automobile, aérospatial et industriel.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface I2C :\u003c\/strong\u003e L’interface série I2C standard (fréquence d’horloge de 1 MHz) simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs tout en minimisant le nombre de broches.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact 8-SOP :\u003c\/strong\u003e Le boîtier 8-SOIC à montage en surface (largeur de 3,90 mm) permet d'économiser un espace précieux sur le circuit imprimé dans les conceptions à espace limité.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e RAMXEED\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\t \u003ctd\u003eBande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e CADRE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FRAM (RAM ferroélectrique)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16 kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e I2C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 550 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 5,5V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOIC (0,154\", largeur 3,90 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOP\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce dispositif de mémoire FRAM est parfaitement adapté pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Compteurs intelligents et gestion de l'énergie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique automobile (ADAS, infodivertissement, calculateur)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux nécessitant l'intégrité des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes aérospatiaux et de défense\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs périphériques IoT et réseaux de capteurs\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e stockage des données de configuration et d'étalonnage\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir la technologie FRAM ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eLa mémoire vive ferroélectrique (FRAM) offre des avantages considérables par rapport aux technologies de mémoire traditionnelles. Grâce à sa vitesse d'écriture instantanée, son endurance supérieure et sa résistance intrinsèque aux radiations, la FRAM élimine le besoin d'algorithmes complexes d'équilibrage d'usure et de batteries de secours. Le modèle MB85RC16VPNF-G-AWERE2 offre une fiabilité de niveau professionnel dans un format économique et facile à mettre en œuvre.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Explorez davantage de solutions de mémoire\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Vous recherchez des composants de mémoire supplémentaires ? Parcourez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003ecollection complète de dispositifs semi-conducteurs de mémoire\u003c\/a\u003e comprenant des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM allant de 64 bits à 6 térabits pour les applications aérospatiales, automobiles et industrielles.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eDécouvrez davantage de composants semi-conducteurs de haute qualité et de ressources techniques chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Fournisseur mondial de semi-conducteurs\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e , votre fournisseur mondial de semi-conducteurs de confiance. 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