{"product_id":"mb85rc16vpnf-g-jnn1e1","title":"MB85RC16VPNF-G-JNN1E1","description":"\u003ch2\u003e RAMXEED MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 16 Kbits hautes performances\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Le \u003cstrong\u003eMB85RC16VPNF-G-JNN1E1\u003c\/strong\u003e de RAMXEED est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) 16 kbits haut de gamme, conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeant une mémoire non volatile offrant une endurance exceptionnelle et des vitesses d'écriture rapides. Cette technologie FRAM avancée combine les avantages des performances de la RAM avec la conservation non volatile des données, ce qui la rend idéale pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations et les applications critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eTechnologie FRAM 16 Kbits :\u003c\/strong\u003e la mémoire vive ferroélectrique offre une endurance en écriture quasi illimitée (10^13 cycles) par rapport aux EEPROM traditionnelles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d'accès de 550 ns permet des opérations de lecture\/écriture rapides sans goulots d'étranglement.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface I2C :\u003c\/strong\u003e Bus I2C standard (horloge à 1 MHz) simplifiant l’intégration dans les conceptions existantes\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e la plage d’alimentation de 3 V à 5,5 V offre une grande flexibilité pour diverses architectures système.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier SOIC 8 broches compact :\u003c\/strong\u003e conception de montage en surface peu encombrante (largeur de 3,90 mm) pour les circuits imprimés haute densité\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie :\u003c\/strong\u003e la technologie FRAM consomme beaucoup moins d'énergie lors des opérations d'écriture que l'EEPROM.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la norme RoHS :\u003c\/strong\u003e respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications typiques\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eÉlectronique automobile et infodivertissement\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Compteurs intelligents et gestion de l'énergie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e capteurs IoT et dispositifs de calcul en périphérie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e stockage des données de configuration et d'étalonnage\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Enregistrement d'événements et enregistreurs de boîte noire\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e RAMXEED\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Tube |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e CADRE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FRAM (RAM ferroélectrique)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16 kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e I2C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 550 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 3V ~ 5,5V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOIC (0,154\", largeur 3,90 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOP\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir la technologie FRAM ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eLa mémoire vive ferroélectrique (FRAM) représente une avancée significative par rapport aux technologies de mémoire non volatile traditionnelles. Contrairement à l'EEPROM ou à la mémoire Flash, la FRAM offre :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eEndurance supérieure :\u003c\/strong\u003e 10 000 milliards de cycles d’écriture contre 100 000 à 1 million pour une EEPROM\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eVitesse d'écriture plus rapide :\u003c\/strong\u003e écrivez à la vitesse du bus sans délai ni mémoire tampon de page.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConsommation réduite :\u003c\/strong\u003e aucune pompe de charge haute tension n’est requise pour les opérations d’écriture.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eÉcriture instantanée :\u003c\/strong\u003e aucun cycle d’effacement n’est nécessaire, ce qui réduit la complexité du système.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eDurée de conservation des données :\u003c\/strong\u003e plus de 10 ans à 85 °C, plus de 150 ans à température ambiante\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Garantie de qualité et d'authenticité\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Chez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e , nous nous approvisionnons directement auprès de distributeurs et fabricants agréés pour tous nos composants, garantissant ainsi des produits RAMXEED 100 % authentiques et une traçabilité complète. Chaque circuit intégré MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 bénéficie de la garantie constructeur et répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications industrielles et commerciales.\u003c\/p\u003e \u003ch3\u003eProduits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire - Solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM\"\u003esemi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les EEPROM, Flash, DRAM, SRAM et autres solutions FRAM, pour répondre aux besoins de vos systèmes embarqués. 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