{"product_id":"mb85rc256vpf-g-bce1","title":"MB85RC256VPF-G-BCE1","description":"\u003ch2\u003e MB85RC256VPF-G-BCE1 - Mémoire FRAM haute fiabilité de 256 Kbits\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La MB85RC256VPF-G-BCE1 est une solution de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) haut de gamme de RAMXEED, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire non volatile allie la vitesse de la SRAM à la fiabilité de l'EEPROM, offrant une endurance en écriture quasi illimitée et une rétention des données exceptionnelle.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité de mémoire de 256 Kbits\u003c\/strong\u003e - Organisée en 32 K x 8 pour un stockage de données flexible\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTemps d'accès rapide\u003c\/strong\u003e - Un temps d'accès de 550 ns garantit une récupération rapide des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface I2C\u003c\/strong\u003e - Fréquence d'horloge standard de 1 MHz pour une intégration facile\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement\u003c\/strong\u003e - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C dans des environnements exigeants\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAlimentation flexible\u003c\/strong\u003e - La tension de fonctionnement de 2,7 V à 5,5 V s'adapte à différentes configurations de systèmes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier CMS (composant monté en surface)\u003c\/strong\u003e - Boîtier SOIC 8 broches compact (largeur de 5,30 mm) pour des circuits imprimés à faible encombrement\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eEndurance supérieure\u003c\/strong\u003e – La technologie FRAM offre 10 000 milliards de cycles d’écriture, surpassant largement les EEPROM traditionnelles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eÉcriture instantanée\u003c\/strong\u003e : aucun délai d’écriture ni tampon de page n’est requis, contrairement à la mémoire flash ou à l’EEPROM.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire FRAM haute fiabilité est idéale pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, l'enregistrement d'événements et la conservation de paramètres dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les compteurs intelligents et les systèmes aérospatiaux où l'intégrité et la durabilité des données sont primordiales.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e RAMXEED\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Tube |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e CADRE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003eFRAM (RAM ferroélectrique)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e I2C\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 550 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,7 V ~ 5,5 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOIC (0,209\", largeur 5,30 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOP\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir la technologie FRAM ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) offre des avantages considérables par rapport aux technologies de mémoire traditionnelles. Contrairement à la mémoire flash qui se dégrade après des milliers de cycles d'écriture, la FRAM garantit une endurance exceptionnelle avec un nombre d'écritures quasi illimité. La vitesse d'écriture instantanée élimine le besoin d'algorithmes d'écriture complexes et de tampons de pages, simplifiant ainsi la conception tout en améliorant la fiabilité du système et en réduisant la consommation d'énergie.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits associés\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Solutions de mémoire - FRAM, EEPROM, Flash et plus encore\"\u003esolutions de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant les composants FRAM, EEPROM, Flash et SRAM pour vos systèmes embarqués. 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