{"product_id":"mb85rs16pnf-g-jnere1","title":"MB85RS16PNF-G-JNERE1","description":"\u003ch2\u003e MB85RS16PNF-G-JNERE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 16 Kbits\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e Le MB85RS16PNF-G-JNERE1 est un circuit intégré de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) 16 kbits hautes performances fabriqué par RAMXEED. Cette solution de mémoire non volatile combine la rapidité d'écriture et l'endurance de la RAM avec les capacités de conservation des données de la ROM, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant un enregistrement fréquent de données, le stockage de paramètres et la gestion de la configuration dans les systèmes industriels, automobiles et IoT.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances d'écriture rapides :\u003c\/strong\u003e la technologie FRAM permet une endurance en écriture pratiquement illimitée (10^13 cycles) sans délai d'écriture, éliminant ainsi le besoin de tampons de page.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie :\u003c\/strong\u003e fonctionne entre 2,7 V et 3,6 V avec un courant actif et en veille minimal, idéal pour les applications alimentées par batterie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface SPI haute vitesse :\u003c\/strong\u003e la fréquence d’horloge de 20 MHz assure un transfert de données rapide pour les opérations critiques en temps réel.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eLarge plage de températures :\u003c\/strong\u003e la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C prend en charge les environnements industriels et automobiles exigeants.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact pour montage en surface : son format\u003c\/strong\u003e 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e RAMXEED\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e CADRE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FRAM (RAM ferroélectrique)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16 kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 20 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,7 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOIC (0,154\", largeur 3,90 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOP\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eLe circuit intégré de mémoire FRAM MB85RS16PNF-G-JNERE1 est parfaitement adapté pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels nécessitant des mises à jour fréquentes des paramètres\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Compteurs intelligents et systèmes de gestion de l'énergie pour l'enregistrement des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique automobile, notamment les calculateurs, les tableaux de bord et les systèmes d'infodivertissement\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux nécessitant un stockage non volatil fiable\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Capteurs IoT et dispositifs de calcul en périphérie avec contraintes de puissance\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e stockage de configuration dans les systèmes embarqués\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir la technologie FRAM ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Contrairement aux mémoires EEPROM ou Flash traditionnelles, la technologie FRAM offre une endurance en écriture supérieure, des vitesses d'écriture plus rapides et une consommation d'énergie réduite. Grâce à des cycles d'écriture quasi illimités et à l'absence de délai d'écriture, la FRAM élimine les problèmes de fiabilité courants dans les applications nécessitant des mises à jour fréquentes des données. La MB85RS16PNF-G-JNERE1 assure une rétention des données de niveau entreprise (plus de 10 ans) tout en conservant la rapidité et la simplicité de la SRAM.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Garantie de qualité et d'authenticité\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eChez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Distributeur authentique de composants semi-conducteurs\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e , nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants RAMXEED, avec une traçabilité complète et un support tout au long de leur cycle de vie. Chaque circuit intégré MB85RS16PNF-G-JNERE1 provient directement de circuits de distribution agréés et bénéficie de notre programme d'assurance qualité.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - SRAM, DRAM, FRAM, EEPROM, composants de mémoire flash\"\u003ecircuits intégrés de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant les solutions SRAM, DRAM, EEPROM et Flash, pour vos systèmes embarqués. 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