{"product_id":"mb85rs256typnf-gs-awere2","title":"MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2","description":"\u003ch2\u003e MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 256 Kbits\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2 de 256 kbits est une solution haute performance conçue pour les applications critiques exigeant un stockage non volatil offrant une endurance exceptionnelle et des vitesses d'écriture rapides. Cette solution mémoire avancée combine les avantages des performances de la RAM avec la conservation non volatile des données, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances haute vitesse :\u003c\/strong\u003e interface SPI 33 MHz avec un temps d’accès ultrarapide de 13 ns pour des opérations de données rapides.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures étendue :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eAlimentation flexible :\u003c\/strong\u003e large plage de tension (1,8 V à 3,6 V) pour une intégration système polyvalente\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) pour les conceptions à espace restreint\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eEndurance supérieure :\u003c\/strong\u003e la technologie FRAM offre des cycles d'écriture pratiquement illimités par rapport aux EEPROM traditionnelles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eÉcriture instantanée :\u003c\/strong\u003e aucune latence d’écriture – les données sont stockées immédiatement sans tampon de page.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie :\u003c\/strong\u003e fonctionnement écoénergétique idéal pour les applications alimentées par batterie\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e RAMXEED\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e CADRE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FRAM (RAM ferroélectrique)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 32K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 33 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 13 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,8 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 125°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOIC (0,154\", largeur 3,90 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOP\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire FRAM est conçu pour des applications exigeantes, notamment :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes de commandes de vol et avionique aérospatiale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e calculateurs automobiles et systèmes critiques pour la sécurité\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Automatisation industrielle et contrôle des processus\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Enregistrement des données et stockage de la configuration des dispositifs médicaux\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e équipement d'infrastructure de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes de comptage intelligent et de gestion de l'énergie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes embarqués nécessitant des mises à jour fréquentes des données\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir la technologie FRAM ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eLa mémoire vive ferroélectrique (FRAM) offre des avantages considérables par rapport aux technologies de mémoire traditionnelles. Contrairement à l'EEPROM ou à la mémoire Flash, la FRAM permet une écriture instantanée sans cycles d'effacement, ce qui prolonge considérablement la durée de vie des composants. Cette technologie offre une endurance en écriture exceptionnelle (10^14 cycles), la rendant idéale pour les applications nécessitant des mises à jour fréquentes des données. Grâce à sa faible consommation d'énergie et à son accès rapide, la FRAM représente le choix optimal pour les systèmes embarqués de nouvelle génération.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64 bits – 6 To)\"\u003esolutions de mémoire à semi-conducteurs,\u003c\/a\u003e incluant les composants SRAM, DRAM, Flash et EEPROM. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Semiconducteurs haute fiabilité pour applications aérospatiales, automobiles et industrielles\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs haute fiabilité pour applications critiques. 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