{"product_id":"mb85rs512tpnf-g-awe2","title":"MB85RS512TPNF-G-AWE2","description":"\u003ch2\u003e MB85RS512TPNF-G-AWE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 512 Kbits\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLe \u003cstrong\u003eMB85RS512TPNF-G-AWE2\u003c\/strong\u003e de RAMXEED est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) haute performance de 512 kbits doté d'une interface SPI et d'une fréquence d'horloge de 30 MHz. Cette solution de mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications exigeant des cycles d'écriture rapides et une endurance quasi illimitée.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances d'écriture rapides :\u003c\/strong\u003e cycle d'écriture de 400 µs et temps d'accès de 9 ns pour un enregistrement et un stockage rapides des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de tension de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e alimentation de 1,8 V à 3,6 V pour une intégration système flexible.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface SPI :\u003c\/strong\u003e interface périphérique série standard pour une intégration facile\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eBoîtier compact pour montage en surface : son format\u003c\/strong\u003e 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eConforme à la norme RoHS :\u003c\/strong\u003e construction écologique et sans plomb\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eHaute endurance :\u003c\/strong\u003e la technologie FRAM offre des cycles de lecture\/écriture pratiquement illimités\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire FRAM est parfaitement adapté à l'enregistrement de données, au stockage de configurations, à l'enregistrement d'événements, à la conservation des données de compteurs et à toute application nécessitant une mémoire non volatile rapide et fiable avec une endurance en écriture élevée.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e RAMXEED\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Tube |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e CADRE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FRAM (RAM ferroélectrique)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 30 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 400 µs\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 9 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,8 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOIC (0,154\", largeur 3,90 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e \t \u003ctd\u003e8-SOP\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir la technologie FRAM ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) offre des performances supérieures aux mémoires EEPROM et Flash traditionnelles. Grâce à une endurance en écriture quasi illimitée (10^14 cycles), des vitesses d'écriture ultrarapides et une faible consommation d'énergie, la FRAM est le choix idéal pour les applications critiques nécessitant un stockage de données non volatiles fiable et à haute vitesse.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eDocumentation complète de traçabilité et de conformité RoHS\/REACH disponible sur demande.\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003chr\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Vous recherchez d'autres solutions de mémoire ? Découvrez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - Composants SRAM, DRAM, FRAM, EEPROM\"\u003ecollection complète de circuits intégrés de mémoire\u003c\/a\u003e comprenant des composants SRAM, DRAM, FRAM et EEPROM pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eVisitez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Fournisseur de composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e pour consulter notre catalogue complet de composants semi-conducteurs haut de gamme, de dispositifs logiques programmables et de composants électroniques avec une documentation complète de traçabilité et de conformité.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Restez informé des dernières tendances du secteur, des guides techniques et des annonces de produits sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités HQICKEY - Analyses et guides techniques de l'industrie des semi-conducteurs\"\u003eblog d'actualités et technique\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"RAMXEED","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116398248225,"sku":"MB85RS512TPNF-G-AWE2","price":13.6,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_865_FPT-8P-M02_NF_8_cd9c9cd9-f55d-465c-ab81-11c2b6491605.jpg?v=1743655318","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/mb85rs512tpnf-g-awe2","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}