{"product_id":"mb85rs64tpnf-g-jne2","title":"MB85RS64TPNF-G-JNE2","description":"\u003ch2\u003e RAMXEED MB85RS64TPNF-G-JNE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 64 Kbits hautes performances\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLa \u003cstrong\u003eMB85RS64TPNF-G-JNE2\u003c\/strong\u003e est une mémoire vive ferroélectrique (FRAM) 64 kbits haut de gamme de RAMXEED, conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage de données rapide et non volatil, ainsi qu'une endurance exceptionnelle. Cette solution mémoire avancée combine la vitesse de la SRAM et la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour l'automatisation industrielle, le comptage intelligent, l'électronique automobile et les applications d'acquisition de données critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eAccès ultra-rapide :\u003c\/strong\u003e un temps d’accès de 18 ns garantit des opérations de lecture\/écriture rapides pour les applications critiques en temps réel.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eHaute endurance :\u003c\/strong\u003e la technologie FRAM offre 10 billions (10^13) de cycles de lecture\/écriture, surpassant largement les mémoires EEPROM et Flash traditionnelles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFonctionnement à faible consommation :\u003c\/strong\u003e une large plage de tension (1,8 V à 3,6 V) permet de concevoir des appareils alimentés par batterie à faible consommation d’énergie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface SPI :\u003c\/strong\u003e Interface périphérique série standard de l’industrie simplifiant l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C pour des conditions environnementales difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eÉcriture instantanée :\u003c\/strong\u003e aucun délai d’écriture ni tampon de page requis – les données sont immédiatement non volatiles après l’écriture.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eEncombrement réduit :\u003c\/strong\u003e Boîtier de montage en surface 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) permettant un gain de place\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e RAMXEED\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Tube |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e CADRE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FRAM (RAM ferroélectrique)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64 kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 18 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,8 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -40°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOIC (0,154\", largeur 3,90 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOP\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications typiques\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'automatisation industrielle et de contrôle des processus\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eCompteurs intelligents (électricité, gaz, eau)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e unités de commande du moteur automobile (ECU) et systèmes de tableau de bord\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux nécessitant une conservation fiable des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure réseau et équipements de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Terminaux de point de vente (PDV) et systèmes de paiement\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'enregistrement de données et d'événements\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e stockage des données de configuration et d'étalonnage\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir la technologie FRAM ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) offre une combinaison unique d'avantages par rapport aux technologies de mémoire traditionnelles. Contrairement à la mémoire Flash ou EEPROM, la FRAM ne nécessite aucun cycle d'effacement, écrit les données instantanément et offre une endurance quasi illimitée. De ce fait, la MB85RS64TPNF-G-JNE2 est un excellent choix pour les applications exigeant des mises à jour fréquentes des données, une faible latence et une fiabilité à long terme.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Garantie de qualité et d'authenticité\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eTous les composants RAMXEED MB85RS64TPNF-G-JNE2 proviennent directement de distributeurs agréés et font l'objet de contrôles qualité rigoureux. Nous garantissons des pièces 100 % authentiques, une traçabilité complète et une disponibilité à long terme pour répondre à vos besoins de production.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - SRAM, DRAM, FRAM, EEPROM\"\u003ecircuits intégrés de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant des solutions SRAM, DRAM, FRAM et EEPROM pour systèmes embarqués. 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