{"product_id":"mb85rs64tupnf-g-jne2","title":"MB85RS64TUPNF-G-JNE2","description":"\u003ch2\u003e MB85RS64TUPNF-G-JNE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 64 Kbits de qualité supérieure\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLe \u003cstrong\u003eMB85RS64TUPNF-G-JNE2\u003c\/strong\u003e est un circuit intégré de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) 64 kbits hautes performances, fabriqué par RAMXEED. Cette solution de mémoire non volatile avancée combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'acquisition de données et les applications critiques exigeant des vitesses d'écriture élevées et une endurance quasi illimitée.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances d'écriture ultra-rapides :\u003c\/strong\u003e un temps d'accès de 18 ns permet un stockage rapide des données sans délai.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eHaute endurance :\u003c\/strong\u003e la technologie FRAM supporte 10 billions (10^13) de cycles de lecture\/écriture, surpassant largement les EEPROM traditionnelles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie :\u003c\/strong\u003e une large plage de tension (1,8 V à 3,6 V) optimise l'efficacité énergétique.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de -55 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eInterface SPI :\u003c\/strong\u003e une fréquence d'horloge de 10 MHz assure une communication série rapide\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eBoîtier compact pour montage en surface : le boîtier\u003c\/strong\u003e SOIC 8 broches (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e RAMXEED\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Tube |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Non volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e CADRE\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e FRAM (RAM ferroélectrique)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64 kbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8K x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SPI\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 10 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 18 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,8 V ~ 3,6 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -55°C ~ 85°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOIC (0,154\", largeur 3,90 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 8-SOP\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire FRAM est parfaitement adapté pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes de contrôle industriel et automates programmables\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Compteurs intelligents et gestion de l'énergie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux nécessitant l'intégrité des données\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Électronique automobile et enregistreurs de données (boîtes noires)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e capteurs IoT et dispositifs de calcul en périphérie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Enregistrement de la configuration et des paramètres\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e \u003ch3\u003ePourquoi choisir la technologie FRAM ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Contrairement aux mémoires Flash ou EEPROM traditionnelles, la technologie FRAM offre une capacité d'écriture instantanée sans délai, une consommation d'énergie extrêmement faible lors des opérations d'écriture et une endurance exceptionnelle. La MB85RS64TUPNF-G-JNE2 assure une conservation fiable des données à long terme (plus de 10 ans) tout en conservant les performances essentielles aux applications embarquées temps réel.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Découvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Circuits intégrés de mémoire - SRAM, DRAM, FRAM, composants de mémoire flash\"\u003ecircuits intégrés de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les solutions SRAM, DRAM, Flash et FRAM, pour répondre aux besoins de vos systèmes embarqués.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Visitez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Fournisseur de composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs haut de gamme pour l'électronique industrielle et embarquée.\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eRestez informé des dernières tendances du secteur, des guides techniques et des annonces de produits sur notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"Actualités HQICKEY - Informations et ressources techniques sur l'industrie des semi-conducteurs\"\u003eblog d'actualités\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eCommandez en toute confiance des circuits intégrés de mémoire FRAM MB85RS64TUPNF-G-JNE2 authentiques, couverts par notre garantie de qualité et notre assistance technique.\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"RAMXEED","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116057264417,"sku":"MB85RS64TUPNF-G-JNE2","price":8.5,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_865_FPT-8P-M02_NF_8_96952f32-e60f-4135-bf2b-189d8b2da516.jpg?v=1743647023","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/mb85rs64tupnf-g-jne2","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}