{"product_id":"mt41k512m8da-093-p-tr","title":"MT41K512M8DA-093:P TR","description":"\u003cp\u003eLe \u003cstrong\u003eMT41K512M8DA-093:P TR\u003c\/strong\u003e de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L 4 Gbit hautes performances, conçu pour les applications embarquées critiques. Ce composant de mémoire volatile de qualité industrielle dispose d'une architecture 512M x 8 avec interface parallèle, offrant un stockage de données fiable et des temps d'accès rapides pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, médicaux et de télécommunications.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eCaractéristiques principales :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e Technologie SDRAM DDR3L 4 Gbit fonctionnant à basse tension (1,283 V ~ 1,45 V)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Organisation de la mémoire 512 Mo x 8 pour une intégration système flexible\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Fréquence d'horloge de 1,066 GHz pour un transfert de données à haut débit\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Temps d'accès de 20 ns et temps de cycle d'écriture de 15 ns pour une réponse rapide\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Large plage de températures de fonctionnement : 0 °C à 95 °C (TC)\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Boîtier compact 78-FBGA (8 x 10,5 mm) pour montage en surface\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e \u003cp\u003e\u003cstrong\u003eApplications :\u003c\/strong\u003e Idéal pour les contrôleurs industriels, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les équipements d'imagerie médicale, les infrastructures réseau et autres plateformes embarquées à haute fiabilité nécessitant des composants de mémoire stables et à longue durée de vie.\u003c\/p\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Micron Technology Inc.\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR3L\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 4 Gbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,066 GHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 20 ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,283 V ~ 1,45 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 95°C (TC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 78-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 78-FBGA (8x10,5)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eProduits associés :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire - Solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM\"\u003ecircuits intégrés de mémoire,\u003c\/a\u003e incluant des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM pour répondre aux exigences de vos systèmes embarqués.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eÀ propos de HQICKEY :\u003c\/strong\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme pour systèmes critiques\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e est votre fournisseur de confiance de composants semi-conducteurs haut de gamme et à haute fiabilité. 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