{"product_id":"mt47h128m4sh-25e-h-tr","title":"MT47H128M4SH-25E:H TR","description":"\u003ch2\u003e Micron MT47H128M4SH-25E:H TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLe MT47H128M4SH-25E:H TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 de 512 Mbits fiable, conçu pour les applications exigeantes nécessitant des solutions de mémoire volatile rapides et efficaces. Avec une organisation mémoire de 128 Mbits x 4 et une fréquence d'horloge de 400 MHz, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et embarqués.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d’horloge de 400 MHz et un temps d’accès de 400 ps garantissent un traitement rapide des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConfiguration mémoire optimale :\u003c\/strong\u003e capacité de 512 Mbits avec une organisation de 128 Mbits x 4 pour une conception système flexible\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePlage de températures industrielles :\u003c\/strong\u003e Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 85 °C (TC) pour les environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFaible consommation d'énergie :\u003c\/strong\u003e tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V pour un fonctionnement écoénergétique\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception pour montage en surface :\u003c\/strong\u003e boîtier TFBGA 60 (8 x 10 mm) pour des circuits imprimés compacts.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eConditionnement prêt pour la production :\u003c\/strong\u003e format bande et bobine pour les processus d’assemblage automatisés\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Micron Technology Inc.\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR2\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128M x 4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 400 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 400 ch\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,7 V ~ 1,9 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 85°C (TC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 60-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 60-FBGA (8x10)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Ce circuit intégré de mémoire DDR2 SDRAM est idéal pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eSystèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plateformes informatiques embarquées\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'acquisition et de traitement des données\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir la technologie Micron ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Micron Technology est un leader mondial des solutions de mémoire et de stockage, reconnu pour son innovation, sa qualité et sa fiabilité. Le MT47H128M4SH-25E:H TR bénéficie de plusieurs décennies d'expertise dans le domaine des semi-conducteurs, garantissant des performances constantes et une disponibilité à long terme pour les applications critiques.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003eRéférence :\u003c\/strong\u003e MT47H128M4SH-25E:H TR\u003cbr\u003e \u003cstrong\u003eFabricant :\u003c\/strong\u003e Micron Technology Inc.\u003cbr\u003e \u003cstrong\u003eConditionnement :\u003c\/strong\u003e Bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé\u003c\/p\u003e","brand":"Micron Technology Inc.","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116594463009,"sku":"MT47H128M4SH-25E:H TR","price":16.56,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/pna_en_Public_e3cc8934-ad4f-4cdd-960e-987cd2b31194.jpg?v=1743659392","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/mt47h128m4sh-25e-h-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}