{"product_id":"mt47h64m8sh-187e-h-tr","title":"MT47H64M8SH-187E:H TR","description":"\u003ch2\u003e Micron MT47H64M8SH-187E:H TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance\u003c\/h2\u003e \u003cp\u003eLe \u003cstrong\u003eMT47H64M8SH-187E:H TR\u003c\/strong\u003e de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 512 Mbit haute fiabilité, conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire DRAM parallèle offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 533 MHz et une organisation mémoire de 64 Mbits x 8, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués exigeant un accès aux données rapide et fiable.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e une fréquence d’horloge de 533 MHz, un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 350 ps garantissent un traitement rapide des données.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eCapacité de mémoire robuste :\u003c\/strong\u003e la configuration de 512 Mbit (64 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées exigeantes.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e fonctionne de manière fiable de 0 °C à 85 °C (TC) avec une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,9 V.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception compacte :\u003c\/strong\u003e le boîtier CMS 60-TFBGA (8 x 10 mm) optimise l'espace sur la carte.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003eFiabilité de qualité industrielle :\u003c\/strong\u003e Conçu selon les normes rigoureuses de Micron pour une durabilité à long terme dans des environnements difficiles\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Micron Technology Inc.\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR2\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 512 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 64M x 8\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Parallèle\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 533 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 15ns\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 350 ch\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,7 V ~ 1,9 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 85°C (TC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 60-TFBGA\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 60-FBGA (8x10)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Applications\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SDRAM DDR2 est parfaitement adaptée pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e systèmes de contrôle aérospatiaux et avioniques\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Unités de commande électroniques automobiles (ECU) et systèmes d'infodivertissement\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Automatisation industrielle et contrôle des processus\u003c\/li\u003e\n\n \u003cli\u003eÉquipements de diagnostic et d'imagerie médicale\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Infrastructure et réseau de télécommunications\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir la technologie Micron ?\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Micron Technology Inc. est un leader mondial des solutions de mémoire et de stockage innovantes, fournissant des produits semi-conducteurs de pointe plébiscités par les ingénieurs du monde entier. Forte de plusieurs décennies d'expertise dans la technologie DRAM, Micron garantit que chaque composant répond aux normes les plus exigeantes en matière de performance, de fiabilité et de qualité.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eExplorez notre vaste sélection de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire,\u003c\/a\u003e notamment les solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM, d'une capacité allant de 64 octets à 6 To. Consultez notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haute fiabilité\"\u003epage d'accueil\u003c\/a\u003e pour découvrir notre gamme complète de composants semi-conducteurs haute fiabilité destinés aux secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Restez informé des dernières tendances et actualités techniques grâce à notre \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"ACTUALITÉS - Blog HQICKEY\"\u003eblog\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"Micron Technology Inc.","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116130959649,"sku":"MT47H64M8SH-187E:H TR","price":355889.44,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_557_60FBGA-1.2-8X10_SH_60_325b7c4d-e13f-43f6-9e0c-3721801d599d.jpg?v=1743648822","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/mt47h64m8sh-187e-h-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}