{"product_id":"mt53e128m16d1ds-046-wt-a-tr","title":"MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR","description":"\u003ch2\u003e Micron MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR - Mémoire DRAM mobile LPDDR4 haute performance\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La \u003cstrong\u003emémoire Micron MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR\u003c\/strong\u003e est une mémoire SDRAM LPDDR4 2 Gbit hautes performances conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeant une faible consommation d'énergie et un transfert de données à haut débit. Dotée d'une organisation mémoire de 128 Mbits x 16 bits et d'une fréquence d'horloge de 2,133 GHz, cette mémoire DRAM volatile offre des performances fiables dans des conditions de fonctionnement exigeantes, de -30 °C à 85 °C.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Principales caractéristiques et avantages\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\n\u003cli\u003e \n\u003cstrong\u003ePerformances à haute vitesse :\u003c\/strong\u003e la fréquence d’horloge de 2,133 GHz garantit un accès rapide aux données pour l’informatique mobile et le traitement en temps réel.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConception basse consommation :\u003c\/strong\u003e la tension d’alimentation de 1,1 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie et prolonge leur autonomie.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eLarge plage de températures de fonctionnement :\u003c\/strong\u003e de -30 °C à 85 °C (TC), adaptée aux applications automobiles, industrielles et en environnements difficiles.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eFiabilité éprouvée :\u003c\/strong\u003e Fabriqué par Micron Technology Inc., un leader mondial des solutions de mémoire fort de plusieurs décennies d'expertise dans le domaine des semi-conducteurs.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConforme à la directive RoHS :\u003c\/strong\u003e Répond aux normes environnementales relatives aux restrictions sur les substances dangereuses, garantissant ainsi la conformité réglementaire.\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eConditionnement pratique :\u003c\/strong\u003e le format bande et bobine (TR) simplifie les processus d'assemblage automatisés et la fabrication en grande série\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e\n\n \u003cstrong\u003eTraçabilité complète :\u003c\/strong\u003e Assistance et documentation complètes tout au long du cycle de vie pour les feuilles de route de développement produit à long terme.\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Applications idéales\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Cette mémoire SDRAM LPDDR4 est parfaitement adaptée pour :\u003c\/p\u003e\n\u003cul\u003e\n\n \u003cli\u003eSmartphones et téléphones portables\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Tablettes et appareils informatiques portables\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Systèmes embarqués industriels\u003c\/li\u003e\n\n\u003cli\u003e Dispositifs médicaux nécessitant des performances de mémoire fiables\u003c\/li\u003e\n\n\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003e Spécifications techniques complètes\u003c\/h3\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Micron Technology Inc.\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - LPDDR4 mobile\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2 Gbit\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 128M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,133 GHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 1,1 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -30°C ~ 85°C (TC)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003ch3\u003e Pourquoi choisir ce composant ?\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eS'appuyant sur l'expertise de Micron en matière de semi-conducteurs acquise depuis des décennies, le MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR offre un équilibre parfait entre performances, efficacité énergétique et fiabilité pour les conceptions mobiles et embarquées de nouvelle génération. Une traçabilité complète et un support étendu garantissent le respect de votre feuille de route de développement produit.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003e Assistance technique et documentation\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003e Des fiches techniques complètes, des notes d'application et des ressources techniques sont disponibles pour faciliter votre processus d'intégration. Notre équipe assure une gestion complète du cycle de vie et une transparence totale de la chaîne d'approvisionnement pour les applications critiques.\u003c\/p\u003e","brand":"Micron Technology Inc.","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116550488353,"sku":"MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR","price":15.51,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_557_-200WFBGA-_80-10x14_5_-DS_-200_b0c28f9e-85d4-43db-8bfa-94f67e28313e.jpg?v=1743658139","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/mt53e128m16d1ds-046-wt-a-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}