{"product_id":"ndd36pt6-2aet-tr","title":"NDD36PT6-2AET TR","description":"\u003ch2\u003eNDD36PT6-2AET TR - Solution de mémoire SDRAM DDR haute performance de 256 Mbit\u003c\/h2\u003e\n\u003cp\u003e La mémoire \u003cstrong\u003eNDD36PT6-2AET TR\u003c\/strong\u003e d'Insignis Technology Corporation offre une fiabilité et des performances exceptionnelles pour les applications exigeantes des secteurs industriel, aérospatial et des systèmes embarqués. Cette mémoire SDRAM DDR de 256 Mbits dispose d'une architecture 16M x 16 et d'une interface SSTL_2 robuste, fonctionnant à une fréquence d'horloge de 200 MHz pour un traitement des données à haute vitesse.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e Conçu pour les environnements critiques, ce composant mémoire à montage en surface fonctionne de manière fiable entre 0 °C et 70 °C avec une tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V. Son boîtier compact 66-TSOP II (10,16 mm de largeur) offre une intégration peu encombrante tout en garantissant des performances thermiques et une intégrité du signal optimales.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003cstrong\u003ePrincipales applications :\u003c\/strong\u003e contrôleurs industriels, systèmes informatiques embarqués, équipements de télécommunications, électronique automobile, instrumentation aérospatiale et systèmes d’acquisition de données à haute fiabilité.\u003c\/p\u003e\n\u003ctable\u003e\n\n\u003ccolgroup\u003e\u003ccol\u003e\u003c\/colgroup\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Attributs du produit\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Valeur de la propriété\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e \t \u003ctd\u003eFabricant\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Société technologique Insignis\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Gamme de produits\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e NDD\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Conditionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Bande et bobine (TR) |\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Volatil\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Format de mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e DRACHME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Technologie\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SDRAM - DDR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Taille de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 256 Mbits\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Organisation de la mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 16M x 16\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Interface mémoire\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e SSTL_2\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Fréquence d'horloge\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 200 MHz\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Écrire le temps de cycle - Word, Page\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Temps d'accès\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Tension - Alimentation\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 2,3 V ~ 2,7 V\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Température de fonctionnement\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 0°C ~ 70°C (TA)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Grade\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Qualification\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e -\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Type de montage\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e Montage en surface\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage \/ Étui\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 66-TSSOP (0,400\", largeur 10,16 mm)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e Emballage du dispositif du fournisseur\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e 66-TSOP II\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003e RoHS \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e\u003cimg class=\"ROSHICON\" src=\"https:\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/ROHSICON.png?v=1761919810\"\u003e\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\n\n\u003c\/tbody\u003e\n\n\n\u003c\/table\u003e\n\u003chr\u003e\n\u003ch3\u003e Produits et ressources connexes\u003c\/h3\u003e \u003cp\u003eDécouvrez notre gamme complète de \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/collections\/memory\" title=\"Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To) - HQICKEY\"\u003edispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 To)\u003c\/a\u003e pour votre prochain projet. Visitez \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/\" title=\"HQICKEY - Composants semi-conducteurs haut de gamme\"\u003eHQICKEY\u003c\/a\u003e pour bénéficier de solutions semi-conducteurs authentiques et hautement fiables, ainsi que d’un support technique dédié. Restez informé des dernières tendances du secteur et des nouveaux produits sur notre blog \u003ca href=\"https:\/\/hqickey.com\/blogs\/news\" title=\"ACTUALITÉS - Blog HQICKEY\"\u003ed’actualités\u003c\/a\u003e .\u003c\/p\u003e","brand":"Insignis Technology Corporation","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":51116050612513,"sku":"NDD36PT6-2AET TR","price":8.39,"currency_code":"AED","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0910\/9756\/3425\/files\/IC_Memory_1982_66TSOPII-10.16_T6_66_09b11560-3cc2-46d8-9b01-dd6de16f5687.jpg?v=1743646852","url":"https:\/\/hqickey.com\/fr\/products\/ndd36pt6-2aet-tr","provider":"HQICKEY","version":"1.0","type":"link"}